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Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung enthält erste und zweite Verfahren, wobei das letztere eine längere Verarbeitungszeit erfordert. Eine Vorrichtung zum Durchführen des Halbleiterherstellungsverfahrens enthält einen ersten Reaktor und eine Vielzahl an zweiten Reaktoren für jeden ersten Reaktor. Eine erste Gruppe von Wafern durchläuft das erste Verfahren innerhalb des ersten Reaktors und wird anschließend in einen zweiten Reaktor transportiert, der gegenüber der Außenluft isoliert ist. Die erste Gruppe von Wafern durchläuft das zweite Verfahren innerhalb des zweiten Reaktors. Zur gleichen Zeit durchläuft eine zweite Gruppe von Wafern das erste Verfahren innerhalb des ersten Reaktors. Nachdem das erste Verfahren abgeschlossen ist, wird die zweite Gruppe von Wafern in einen der zweiten Reaktoren transportiert, der nicht belegt ist, und zwar in einem gegenüber der Außenluft isolierten Zustand. Dort durchläuft die zweite Gruppe von Wafern das zweite Verfahren. Demgemäß können Verfahrensfehler, die ansonsten aufgrund des Kontakts der Wafer mit Sauerstoff beispielsweise in der Luft verursacht werden, minimiert werden und die Produktivität ist trotz des Unterschieds bei den Verarbeitungszeiten hoch.
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