| 摘要 |
Um eine Lithografiebelichtungseinrichtung zum Herstellen von belichteten Strukturen in einer lichtempfindlichen Schicht, mit einer Belichtungseinheit mit einer Bewegungseinheit zur Relativbewegung zwischen der Fokussierungsoptik und einer Aufnahme und mit einer Steuerung zur Steuerung von Intensität und Lage der Belichtungsflecken derart, daß mittels der Belichtungsflecken eine Vielzahl von Umwandlungsbereichen in der lichtempfindlichen Schicht erzeugbar ist, zu schaffen, bei welcher mit einer reduzierten Zahl von Laserstrahlungsquellen gearbeitet werden kann, wird vorgeschlagen, daß mit dem Belichtungsfleck jeder Laserstrahlungsquelle innerhalb eines Streifenbereichs, welcher eine ein Mehrfaches der Ausdehnung des Belichtungsflecks betragende Breite aufweist, sämtliche innerhalb desselben liegende Umwandlungsbereiche durch Bewegen des Belichtungsflecks in einer quer zur Belichtungsbewegungsrichtung verlaufenden Ablenkrichtung erzeugbar sind und daß zum Bewegen des Belichtungsflecks in der Ablenkrichtung zwischen den Laserstrahlungsquellen und der Fokussierungsoptik eine steuerbare Ablenkeinrichtung vorgesehen ist. <IMAGE>
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