| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高效率低成本地制作芯片尺寸封装的方法，通过在半导体芯片电极形成面一侧制作导电引线，扩大该封装的电极间距，特别地，提供一种制作引线和形成凸块的方法。一种半导体器件，包括半导体元件，以及在半导体元件上通过刻蚀形成引线的金属箔而形成的导电引线；一种半导体器件制作方法，包括以下步骤：在电极形成面一侧将形成电极的金属箔层压到半导体上，在金属箔上制作光刻胶引线图形，刻蚀金属箔以及将器件分割成单个的元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1425191A | 申请公布日期 | 2003.06.18 |
| 申请号 | CN01808353.6 | 申请日期 | 2001.03.27 |
| 申请人 | 东洋钢钣株式会社;须贺唯知 | 发明人 | 西條谨二;大泽真司;岡本浩明;吉田一雄;须贺唯知 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括半导体元件以及在半导体元件上通过刻蚀形成引线的金属箔而形成的导电引线。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||