离子化物理蒸汽沉积的方法和装置

摘要

装置(500)的一个方法提供离子化物理蒸汽沉积(IPVD)，该装置对从一个环形磁控管溅射靶(10)溅射导电金属镀膜材料特别有用。该被溅射材料在靶(10)与一个片基(100)之间的某个处理空间内被离子化，方法是利用位于真空室(501)外部、溅射靶开孔(421)中心处室壁(502)中绝缘窗(33)后面的某个线圈(39)耦合的能量在该空间生成一个稠密等离子体。一个法拉第型保护屏(26)物理屏蔽该窗口以防止镀膜材料覆盖该窗口，但允许能量从该线圈感应耦合到该处理空间。该线圈在该靶平面上或靶后的位置可以允许对靶到晶片的间距进行选择来优化薄膜的沉积率和均匀性，也提供了一个环形源的优点，即它不存在那些与该靶中心开孔内不希望的沉积有关的问题。

主权项

1.一个离子化物理蒸汽沉积装置，包括：一个其室壁包围该室内某个真空处理空间的真空室，该真空室壁在该室的一端有一个开孔；一个IPVD源组件位于该室壁开孔处，并形成该室壁开孔的真空密封盖板；一个连接到该室以便向该处理空间供应某种气体的供气系统；一个连接到该室，可进行操作将该处理空间的气体维持在一个真空压力水平的真空系统；一个该室外部的RF能量源；该IPVD源组件包括：一个向该处理空间提供镀膜材料的环形镀膜材料源，该环形源有一个开口的中心，并至少有一个表面与该真空处理室连通；一个窗口组件，它包括一个位于该环形源开口中心、并与该室壁构成一个真空密闭外罩一部分的绝缘窗口，它具有一个室内侧和一个外侧；一个在该室上述一端的室外侧线圈，它邻近该绝缘窗口且在该绝缘窗口之外，它被连接到该RF能量源从而在被激活时将能量从RF能量源通过该窗口感应耦合到该处理空间，以便在该处理空间保持一个感应耦合的等离子体，该等离子体有足够高的密度将该处理空间内来自环形源的镀膜材料离子化；一个该室内部的、正对环形镀膜材料源处理空间的片基支座，其上有一个正对着处理空间的晶片支持表面。