| 发明名称 |
Bipolar transistor having an improved epitaxial base region and method of fabricating the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0786816(B1) |
申请公布日期 |
2003.06.18 |
| 申请号 |
EP19970100686 |
申请日期 |
1997.01.17 |
| 申请人 |
NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES, LTD. |
发明人 |
KOHNO, HIROSHI |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/10 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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