Verfahren zur Herstellung von weitgehend HBr-freiem HCI-Gas und weitgehend HBr-freier wäßriger HCI-Lösung

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von weitgehend HBr-freiem HCI-Gas sowie weitgehend HBr-freier wäßriger HCl-Lösung, das folgende Schritte aufweist: DOLLAR A a) Bereitstellen von HBr-haltigem HCl-Gas; DOLLAR A b) Leiten des HBr-haltigen HCl-Gases durch an HCl gesättigte wäßrige HCl-Lösung; DOLLAR A c) Abtrennen von HBr-haltiger an HCl gesättigter wäßriger HCl-Lösung; DOLLAR A d) gegebenenfalls Leiten des in Schritt b) erhaltenen weitgehend HBr-freien HCl-Gases in Wasser zur Gewinnung von weitgehend HBr-freier wäßriger HCl-Lösung; DOLLAR A wobei gegebenenfalls in Schritt d) erzeugte weitgehend HBr-freie wäßrige HCl-Lösung in Schritt b) des Verfahrens geführt wird. DOLLAR A Durch das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich in kostengünstiger Weise und im technischen Maßstab hochreine wäßrige HCl-Lösung für die Anwendung in der Halbleiterindustrie herstellen. Das durch die Schritte a) bis c) erhaltene gereinigte HCl-Gas lässt sich jedoch auch für beliebige andere Zwecke einsetzen. Gegenstand der Erfindung ist ebenfalls eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.