| 摘要 |
<p>Die Vorrichtung zum Wachsen von Schichten auf einen Wafer weist ein Reaktorgehäuse (10), einen in dem Reaktorgehäuse angeordneten Suszeptor (12) zur Aufnahme eines oder mehrerer Substrate (14), eine Fluideinlassvorrichtung (18) zum Einlassen von Reaktionsfluiden in das Reaktorgehäuse und eine Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) zum Entfernen der Reaktionsfluide aus dem Reaktorgehäuse nachdem diese über die zu beschichtende Oberfläche des oder der Substrate geleitet worden sind auf. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung weist die Fluideinlassvorrichtung (18) Fluidaustrittsöffnungen auf, die entlang des Umfangs des Suszeptors (12) angeordnet sind, und die Fluidauslassvorrichtung (20a, 20b) weist wenigstens eine Fluideintrittsöffnung auf, die in der Mitte des Suszeptors (12) angeordnet ist, so dass die durch die Fluidaustrittsöffnungen der Fluideinlassvorrichtung eingeleiteten Reaktionsfluide vom Umfang des Suszeptors (12) radial nach innen über die zu beschichtende Oberfläche des oder der Substrate (14) strömen und durch die Fluideintrittsöffnung der Fluidauslassvorrichtung abgesaugt werden.</p> |
