| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines MOS-Transistors mit LDD-Struktur |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE4335851(C2) |
申请公布日期 |
2003.06.12 |
| 申请号 |
DE19934335851 |
申请日期 |
1993.10.20 |
| 申请人 |
GOLDSTAR ELECTRON CO., LTD. |
发明人 |
HWANG, HYUN SANG |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
