| 摘要 |
Ein Feldeffekttransistor weist einen Gate-Stapel auf mit einer zu unterst auf dem Gateoxid (10) angeordneten ersten Schicht (15), vorzugsweise aus Polysilizium, und einer darüber angeordneten zweiten Schicht (20), vorzugsweise aus einem Silizid. Neben der Gateelektrode ist ein Kontakt (100) angeordnet, der von den Schichten (15, 20) der Gateelektrode durch eine siliziumhaltige Schicht (55) und eine Spacer-Schicht (90) getrennt ist. Die Erfindung vermeidet, daß bei erhöhter Temperatur in der Silizidschicht eine Rekristallisierung stattfindet, die eine Auswölbung der Silizidschicht zum Kontakt hin bewirkt. Außerdem werden dadurch Kurzschlüsse zwischen der Gateelektrode und dem Kontakt vermieden.
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