| 主权项 |
1.一种利用多晶矽悬浮闸极间隙物制程建立双位元快闪记忆体之方法,其主要之实施步骤系包括下列步骤:先在一半导体基底上形成一垫氧化层及一已定义之图案化氮化矽层;以该氮化矽层为罩幕,对该基底进行离子植入,以形成离子掺杂区;于该基底上沈积一氧化层,并平坦化去除部份该氧化层直至露出该氮化矽层为止;去除该氮化矽层,以利用该氧化层定义出元件区,再去除该垫氧化层;在该基底表面沈积一层隧穿介电层;在该基底上沈积第一多晶矽层,以覆盖该氧化层及隧穿介电层;再对该第一多晶矽层进行非等向性蚀刻,以在该氧化层之二侧形成多晶矽间隙物;以及在基底上沈积一绝缘介电层,最后在于其上形成一已定义之第二多晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化矽层系以一图案化光阻为罩幕所形成者。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平坦化方式系以化学机械研磨法进行。4.如申请专利范围第1项所述之双位元快闪记忆体,其中该隧穿介电层系为氧化物所构成者。5.如申请专利范围第1项所述之双位元快闪记忆体,其中该绝缘介电层系为一包含氧化物、氮化物及氧化物(ONO)之介电层构造。6.如申请专利范围第1项所述之双位元快闪记忆体,其中该绝缘介电层系为氧化物所构成者。图式简单说明:第1图为习知快闪记忆体之构造示意图。第2图至第9图为本发明制程之连续步骤示意图。 |
