| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容结构,包含:一多晶矽层间氧化层,具有至少一凹槽;一接触栓塞,突出于该多晶矽层间氧化层之凹槽底部;一架构环,突出于该多晶矽层间氧化层之凹槽侧壁;一下电极层,覆盖于该多晶矽层间氧化层、该接触栓塞和该架构环;一介电质层,覆盖于该下电极层;及一上电极层,覆盖于该介电质层。2.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该下电极层表面系布满半球型多晶矽晶粒。3.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该上电极层、下电极层和接触栓塞系由n+型多晶矽所组成。4.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该架构环系由氮化矽所组成。5.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该架构环系由氮氧化矽所组成。6.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该架构环系由氮化钛所组成。7.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该介电质层系由氮化物和氧化物所组成。8.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该介电质层系由氧化钽所组成。9.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该介电质层质系由钛酸钡锶所组成。10.如申请专利申请范围第1项之电容结构,其中该介电质层系由原子层化学汽相沈积的氧化铝所组成。11.一种动态随机存取记忆体之制作方法,包含下列步骤:形成一多晶矽层间氧化层、一蚀刻停止层、一贯穿该多晶矽层间氧化层和该蚀刻停止层的接触栓塞及一氧化矽层;定义至少一电容区域,蚀刻该电容区域之该氧化矽层、该蚀刻停止层和该多晶矽层间氧化层;进行无方向性蚀刻,使该接触栓塞和该蚀刻停止层突出于该电容区域之底部及侧壁;沈积一下电极层;以化学机械研磨之方式隔离各电容区域;沈积一介电质层;及沈积一上电极层。12.如申请专利申请范围第11项之制作方法,其中另包含以一半球型晶粒的长晶技术于该下电极层表面成长半球型晶粒的多晶矽之步骤。13.如申请专利申请范围第11项之制作方法,其中系以稀释的氢氟酸或蒸汽氢氟酸进行无方向性蚀刻。14.如申请专利申请范围第11项之制作方法,其中该介电质层系由氮化物和氧化物的所构成的复层所组成。15.如申请专利申请范围第11项之制作方法,其中该介电质层系由氧化钽或钛酸钡锶所组成。16.如申请专利申请范围第11项之制作方法,其中该介电质层系由原子层化学汽相沈积的氧化铝所组成。17.如申请专利申请范围第11项之制作方法,其更包含于该下电极层的表面形成一保护圆柱栓寒光阻,以化学机械研磨之方式研磨部分之该保护圆柱栓塞光阻和该下电极层之顶部连接处,及去除该保护圆柱栓塞光阻之步骤。图式简单说明:图1(a)至1(f)系习知之DRAM电容结构之制作流程;图2(a)至2(g)系本发明之圆柱式DRAM电容结构之制作流程;图3系本发明之另一圆柱式DRAM电容结构之示意图。图4系图3之圆柱式DRAM电容结构之俯视图。 |
