| 主权项 |
1.一种具有层叠结构之配线,其包括具有第一宽度之第一导电层作为第一层,具有第二宽度之第二导电层作为第二层,第二宽度小于第一宽度,及具有第三宽度之第三导电层作为第三层,而第三宽度又小于第二宽度,其中,第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘的截面为锥形。2.如申请专利范围第1项之配线,其中第一导电层包含选自W和Mo所组成之群中至少之一。3.如申请专利范围第1项之配线,其中第二导电层包含Al。4.如申请专利范围第1项之配线,其中第三导电层包含Ti。5.如申请专利范围第1项之配线,其中第二导电层由第一导电层,第三导电层,及绝缘膜所覆盖,和接触绝缘膜的区域被氧化。6.如申请专利范围第1项之配线,其中该配线使用于选自液晶显示装置和发光装置所组成之群中至少之一。7.一种配线制造方法,包含之步骤为:形成第一形状导电层,其包含绝缘表面上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层,第二导电层,及第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一宽度之第一导电层,第二宽度之第二导电层,及第三宽度之第三导电层组成的叠层;和蚀刻第二宽度之第二导电层和第三宽度之第三导电层以形成第三形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电组成的叠层,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘截面为锥形。8.一种配线制造方法,包含之步骤为:形成第一形状导电层,其包含绝缘表面上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层以形成第三形状导电层,其包含第三宽度之第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;和蚀刻第一宽度之第二导电层和第二宽度之第三导电层以形成第四形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘截面为锥形。9.一种配线制造方法,包含之步骤为:形成第一形状导电层,其包含绝缘表面上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层,第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一宽度之第一导电层,第二宽度之第二导电层,及第三宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第二宽度之第二导电层和第三宽度之第三导电层以形成第三形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三层组成的叠层;和使第三形状导电层受到电浆处理,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘截面为锥形。10.一种配线制造方法,包含之步骤为:形成第一形状导电层,其包含绝缘表面上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层以形成第三形状导电层,其包含第三宽度之第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一宽度之第二导电层和第二宽度之第三导电层以形成第四形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层;和对第四形状导电层进行电浆处理,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘截面为锥形。11.如申请专利范围第7-10项中任一项之配线制造方法,其中第一导电层包括选自W和Mo中的至少之一。12.如申请专利范围第7-10项中任一项之配线制造方法,其中第二导电层包括Al。13.如申请专利范围第7-10项中任一项之配线制造方法,其中第三导电层包括Ti。14.如申请专利范围第7-10项中任一项之配线制造方法,其中使用氧或主要含氧的气体,或H2O进行电浆处理。15.一种配线板,包含绝缘基底和配线,其中配线具有层叠结构,其包含第一宽度之第一导电层作为第一层,第二宽度之第二导电层作为第二层,而第二宽度小于第一宽度,及第三宽度之第三导电层作为第三层,第三宽度又小于第二宽度,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘的截面为锥形。16.如申请专利范围第15项之配线板,其中第一导电层包括选自W和Mo中的至少之一。17.如申请专利范围第15项之配线板,其中第二导电层包括Al。18.如申请专利范围第15项之配线板,其中第三导电层包括Ti。19.如申请专利范围第15项之配线板,其中第二导电层被第一导电层,第三导电层,及绝缘层所覆盖,和接触绝缘膜的区域被氧化。20.如申请专利范围第15项之配线板,其中液晶显示装置或发光装置使用该配线板制造。21.一种配线板之制造方法,包含之步骤为:形成第一形状导电层,其包含绝缘表面上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层,第二导电层,及第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一宽度之第一导电层,第二宽度之第二导电层,及第三宽度之第三导电层组成的叠层;和蚀刻第二宽度之第二导电层和第三宽度之第三导电层以形成第三形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层,其中第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,或第六宽度之第三导电层的边缘的截面为锥形。22.一种配线板之制造方法,包含之步骤为:形成第一形状导电层,其由绝缘表面上堆叠的第一导电层,第二导电层及第三导电层组成;蚀刻第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层以形成第三形状导电层,其包含第三宽度之第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;和蚀刻第一宽度之第二导电层和第二宽度之第三导电层以形成第四形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层,其中第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,或第六宽度之第三导电层的边缘的截面为锥形。23.一种配线板之制造方法,包含之步骤为:在绝缘表面上形成第一导电层;在第一导电层上形成第二导电层;在第二导电层上形成第三导电层;蚀刻第一至第三导电层以形成具有锥形部份的导电层;和对具有锥形部份的导电层进行电浆处理。24.一种配线板之制造方法,包含之步骤为:形成第一形状导电层,其包含绝缘表面上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层,第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一宽度之第一导电层,第二宽度之第二导电层,及第三宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第二宽度之第二导电层和第三宽度之第三导电层以形成第三形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层;和对第三形状导电层进行电浆处理,其中第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,或第六宽度之第三导电层的边缘的截面为锥形。25.一种配线板之制造方法,包含之步骤为:形成第一形状导电层,其由绝缘表面上堆叠的第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成;蚀刻第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层以形成第三形状导电层,其包含第三宽度之第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一宽度之第二导电层和第二宽度之第三导电层以形成第四形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层;和对第四形状导电层进行电浆处理,其中第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,或第六宽度之第三导电层的边缘的截面为锥形。26.如申请专利范围第21-25项中任一项之配线板之制造方法,其中第一导电层包括选自W和Mo中的至少之一。27.如申请专利范围第21-25项中任一项之配线板之制造方法,其中第二导电层包括Al。28.如申请专利范围第21-25项中任一项之配线板之制造方法,其中第三导电层包括Ti。29.如申请专利范围第21-25项中任一项之配线板之制造方法,其中使用氧或主要含氧的气体,或H2O进行电浆处理。30.一种半导体装置,包含:基底上方的半导体层;半导体层上的闸极绝缘膜;闸极绝缘层上的配线,该配线具有层叠结构,其包含第一宽度之第一导电层作为第一层,第二宽度之第二导电层作为第二层,而第二宽度小于第一宽度,及第三宽度之第三导电层作为第三层,第三宽度又小于第二宽度,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘的截面为锥形。31.如申请专利范围第30项之半导体装置,其中第一导电层包括选自W和Mo中的至少之一。32.如申请专利范围第30项之半导体装置,其中第二导电层包括Al。33.如申请专利范围第30项之半导体装置,其中第二导电层包括Ti。34.如申请专利范围第30项之半导体装置,其中第二导电层被第一导电层,第三导电层,及绝缘膜所覆盖,和接触绝缘膜的区域被氧化。35.如申请专利范围第30项之半导体装置,其中该半导体装置选自液晶显示装置和发光装置中的至少之一。36.如申请专利范围第30项之半导体装置,其中该半导体装置选自个人电脑,使用记录媒体的播放机,和显示器中的至少之一。37.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:在基底上方形成半导体层;在半导体层上形成闸极绝缘膜;形成第一形状导电层,其包含闸极绝缘膜上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层,第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一宽度之第一导电层,第二宽度之第二导电层,及第三宽度之第三导电层组成的叠层;和蚀刻第二宽度之第二导电层和第三宽度之第三导电层以形成第三形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘的截面为锥形。38.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:在基底上方形成半导体层;在半导体层上形成闸极绝缘膜;形成第一形状导电层,其包含闸极绝缘膜上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层以形成第三形状导电层,其包含第三宽度之第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;和蚀刻第一宽度之第二导电层和第二宽度之第三导电层以形成第四形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘的截面为锥形。39.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:在基底上方形成半导体层;在半导体层上形成闸极绝缘膜;形成第一形状导电层,其包含闸极绝缘膜上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层,第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一宽度之第一导电层,第二宽度之第二导电层,及第三宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第二宽度之第二导电层和第三宽度之第三导电层以形成第三形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层;和对第三形状导电层进行电浆处理,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘的截面为锥形。40.一种半导体装置之制造方法,包含之步骤为:在基底上方形成半导体层;在半导体层上形成闸极绝缘膜;形成第一形状导电层,其包含闸极绝缘膜上第一导电层,第二导电层,及第三导电层组成的叠层;蚀刻第二导电层和第三导电层以形成第二形状导电层,其包含第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一导电层以形成第三形状导电层,其包含第三宽度之第一导电层,第一宽度之第二导电层,及第二宽度之第三导电层组成的叠层;蚀刻第一宽度之第二导电层和第二宽度之第三导电层以形成第四形状导电层,其包含第四宽度之第一导电层,第五宽度之第二导电层,及第六宽度之第三导电层组成的叠层,和对第四形状导电层进行电浆处理,其中第一导电层,第二导电层,或第三导电层的边缘的截面为锥形。41.如申请专利范围第37-40中任一项之半导体装置之制造方法,其中第一导电层包括选自W和Mo中的至少之一。42.如申请专利范围第37-40中任一项之半导体装置之制造方法,其中第二导电层包括Al。43.如申请专利范围第37-40中任一项之半导体装置之制造方法,其中第三导电层包括Ti。44.如申请专利范围第37-40中任一项之半导体装置之制造方法,其中使用氧或主要含氧的气体,或H2O进行电浆处理。45.如申请专利范围第37-40中任一项之半导体装置之制造方法,其中半导体装置选自液晶显示装置和发光装置中的至少之一。46.如申请专利范围第37-40中任一项之半导体装置之制造方法,其中半导体装置选自个人电脑,使用记录媒体的播放机,及显示器中的至少之一。图式简单说明:图1A-1C显示本发明的示意概念图;图2A和2B显示根据本发明生产的配线的典型形状;图3A和3B示意性地显示根据本发明生产的配线的形状;图4A-4C显示根据本发明生产的配线的典型形状;图5A-5C显示根据本发明生产的配线的典型形状;图6A-6C显示根据本发明生产的配线的典型形状;图7A-7C显示根据本发明的示意概念图;图8A-8C为横截面视图,其说明驱动电路的图素TFT和TFT制造处理;图9A-9C为横截面视图,其说明驱动电路的图素TFT和TFT制造处理;图10为横截面视图,其显示驱动电路和的图素TFT和TFT的制造处理;图11为顶视图,其显示图素TFT的构造;图12为横截面视图,其说明主动矩阵型液晶显示装置的制造处理;图13为横截面视图,其说明主动矩阵型液晶显示装置的制造处理;图14为发光装置的驱动电路和图素部份的横截面结构视图;图15A为发光装置的顶视图,和图15B为该发光装置驱动电路和图素部份的横截面结构视图;图16为发光装置驱动电路和图素部份的横截面结构视图;图17A和17B显示本发明的示意概念图;图18A和18B为横截面视图,其说明主动矩阵型液晶显示装置的制造处理;图19为发光装置图素部份的横截面结构视图;图20A至20C显示半导体装置实例;图21为横截面视图,其说明驱动电路和的图素TFT和TFT的制造处理;和图22示意性地显示根据第一蚀刻条件生产的配线的形状。 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