| 主权项 |
1.一种金属矽化物的制造方法,包括:提供一矽基底,上述矽基底表面形成有一闸极与一汲极/源极,其中上述闸极侧壁具有一间隔物;顺应性形成一金属层于上述闸极、上述间隔物与上述源极/汲极表面;施行一第一热处理程序,使上述金属层与上述闸极及上述汲极/源极表面的矽反应而形成金属矽化物;去除未参予反应的上述金属层与上述间隔物;导入一含矽离子于上述汲极/源极表面;以及施行一第二热处理程序。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述金属层系以钛、钴、镍、铂之其中之一者构成。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述第一热处理系为快速加热回火制程(RTP)。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述第二热处理系为快速加热回火制程(RTP)。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述含矽离子系利用离子布植导入。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述金属层系利用溅镀法形成。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中上述上述溅镀法系以直流电浆(DC plasma)的方式进行。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中去除上述金属层系利用湿蚀刻法进行。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述矽基底表面更具有一闸极氧化层于上述闸极下方。10.一种金属矽化物的制造方法,包括:提供一矽基底,上述矽基底表面形成有一闸极与一汲极/源极,其中上述闸极侧壁具有一间隔物;全面性形成一金属层于上述闸极、上述间隔物与上述汲极/源极表面;施行一第一快速加热回火制程,使上述金属层与上述闸极及上述汲极/源极表面的矽反应而形成金属矽化物;去除未参予反应的上述金属层部分与上述间隔物;实施一含矽离子布植程序;以及施行一第二快速加热回火制程。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中上述金属层系以钛、钴、镍之其中之一者构成。12.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中上述上述金属层系利用溅镀法形成。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中上述上述溅镀法系以直流电浆(DCplasma)的方式进行。14.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中去除上述金属层系利用湿蚀刻法进行。图式简单说明:第1A图至第1E图系绘示习知之金属矽化物之制程剖面图。第2图系显示在习知之金属矽化物制程中,可能遭遇到的接合漏电问题。第3A图至第3F图系绘示根据本发明之金属矽化物之制程剖面图。第4图系显示示根据本发明之金属矽化物之制程流程图。 |
