| 主权项 |
1.一种触媒错合物,结构式如下:其中M是Os或Ru;C1及C2是sp混成的碳,及C3是sp2混成的碳,其中C1及C2可视需要地一个或两个不存在;R及R1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个R及R1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代;X及X1各自独立,系择自阴离子配位体所组成的族群中:L系择自膦、磺化的膦、亚磷酸盐、次膦酸盐、膦酸盐、醚、胺、醯胺、亚、羰基、亚硝醯基、啶以及硫醚所组成的族群中;及L1是亲核性碳烯。2.如申请专利范围第1项之触媒错合物,其中L是膦。3.如申请专利范围第1项之触媒错合物,其中X、X1. L或L1中的至少两个一起键结,以形成多配位基的配位体。4.如申请专利范围第1项之触媒错合物,其中该亲核性碳烯具有下式:或其中Y及Y1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个Y及Y1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代;以及Z及Z1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个Z及Z1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代。5.一种触媒错合物,结构式如下:其中C1及C2是sp混成的碳,及C3是sp2混成的碳,其中C1及C2可视需要地一个或两个不存在;M系择自锇及钌所组成的族群中;R及R1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个R及R1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代;X是一阴离子配位体;L是一亲核性碳烯;Ar是一芳基取代基,藉由6键而键结至M;以及A-是一无机阴离子或有机阴离子。6.如申请专利范围第5项之触媒错合物,其中该亲核性碳烯具有下式:或其中Y及Y1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个Y及Y1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代;以及Z及Z1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个Z及Z1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代。7.一种制造亲核性碳烯之方法,该方法包括:a)将取代的或未取代的苯胺与大约一半莫耳当量的仲甲醛,在惰性气体的气氛下接触,以制造第一反应混合物;b)加热该第一反应混合物,直到该仲甲醛溶解;及c)加入大约一半莫耳当量的二烷氧基乙醛,以制造亲核性碳烯。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该苯胺是2,4,6-三甲基苯胺。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该苯胺是2,6-二异丙基苯胺。10.如申请专利范围第7项之方法,更包括氢化该亲核性碳烯的步骤,以制造一非芳香族的亲核性碳烯。11.一种实行闭环置换(RCM)之方法,该方法包括将具有两个末端的二烯与触媒错合物,在适合的条件下接触一段足以制造一环烯的时间,其中该触媒错合物具有下式:其中M是Os或Ru;C1及C2是sp混成的碳,及C3是sp2混成的碳,其中C1及C2可视需要地一个或两个不存在;R及R1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个R及R1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代;X及X1各自独立,系择自阴离子配位体所组成的族群中;L系择自膦、磺化的膦、亚磷酸盐、次膦酸盐、膦酸盐、醚、胺、醯胺、亚、羰基、亚硝醯基、啶以及硫醚所组成的族群中;及L1是亲核性碳烯。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该亲核性碳烯具有下式:或其中Y及Y1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个Y及Y1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代;以及Z及Z1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个Z及Z1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代。13.一种实行闭环置换(RCM)之方法,该方法包括将具有两个末端的二烯与触媒错合物,在适合的条件下接触一段足以制造一环烯的时间,其中该触媒错合物具有下式:其中C1及C2是sp混成的碳,及C3是sp2混成的碳,其中C1及C2可视需要地一个或两个不存在;M系择自锇及钌所组成的族群中;R及R1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个R及R1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代;X是一阴离子配位体;L是一亲核性碳烯;Ar是一芳基取代基,藉由6键而键结至M;以及A-是一无机阴离子或有机阴离子。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该亲核性碳烯具有下式:或其中Y及Y1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个Y及Y1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代;以及Z及Z1各自独立,系择自氢、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C2-C20烷氧羰基、芳基、C1-C20羧化物、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔氧基及芳氧基所组成的族群中,每个Z及Z1可视需要地,以C1-C5烷基、卤素、C1-C6烷氧基取代,或以卤素、C1-C5烷基或C1-C5烷氧基取代的苯基而取代。图式简单说明:第1A图是触媒错合物之第一具体实施例的一般结构,其具有第一连接类型。第1B图是触媒错合物之第一具体实施例的一般结构,其具有第二连接类型。第1C图是触媒错合物之第一具体实施例的一般结构,其具有第三连接类型。第2A图是一亲核性碳烯配位体之实例,其可使用于本发明之特定具体实施例中。第2B图是一特别的亲核性碳烯之实例,其可使用于本发明之特定具体实施例中。第2C图是一特别的亲核性碳烯之实例,其可使用于本发明之特定具体实施例中。第3A图是触媒错合物之第二具体实施例的一般结构,其具有第一连接类型。第3B图是触媒错合物之第二具体实施例的一般结构,其具有第二连接类型。第3C图是触媒错合物之第二具体实施例的一般结构,其具有第三连接类型。第4图是Cp*Ru(IMes)C1的结晶结构之ORTEP图示。第5图是Cp*Ru(PCy3)C1的结晶结构之ORTEP图示。第6图是C12Ru(PCy3)(IMes)(=CHPh)的结晶结构之ORTEP图示。 |
