| 主权项 |
1.一种用以提供电磁耦合器之装置,包含:一第一传送结构,具有一第一几何;及一第二传送结构,具有一第二几何,及与该第一传送结构形成EM耦合器,该EM耦合器具有一耦合系数,选择该第一及第二几何,使得该耦合系数在该第一及第二传送结构相对位置范围为相当地固定。2.如申请专利范围第1项的装置,其中该相对位置的范围,沿平行该第一及第二传送结构的轴为0及10密尔间。3.如申请专利范围第1项的装置,其中各传送结构包含一单一导体。4.如申请专利范围第1项的装置,其中各传送结构包含至少一差动对导体。5.如申请专利范围第1项的装置,其中该第一几何系一锯齿形几何。6.如申请专利范围第5项的装置,其中该第二几何系一锯齿形几何。7.如申请专利范围第5项的装置,其中该第二几何系一直线几何。8.如申请专利范围第1项的装置,进一步包含:一第一平面导体参考平面,其平行于包含该第一传送结构的一平面;该第一平面导体参考平面提供一参考电位至该第一传送结构;及一第二平面导体参考平面,其平行于包含该第二传送结构的一平面;该第二平面导体参考平面提供一参考电位至该第二传送结构。9.如申请专利范围第1项的装置,进一步包含一第一导体参考平面,其提供一参考电位至该第一传送结构。10.如申请专利范围第9项的装置,进一步包含一第二导体参考平面,其提供一参考电位至该第二传送结构。11.如申请专利范围第1项的装置,其中该第一及第二传送结构能机械式地隔离。12.如申请专利范围第1项的装置,其中该调合器能传输信号于一电子系统。13.如申请专利范围第12项的装置,其中该电子系统由该组选取,其包含:一电脑系统、一电脑滙流排、一电脑主机板、一子卡、一多重晶片模组、一积体电路、一挠曲电路、一印刷电路板,及一缆线电路。14.如申请专利范围第1项的装置,其中该相对位置的范围沿垂直该第一及第二传送结构的轴为0及2密尔间。15.一种用以提供电磁耦合器之装置,包含:一电路板;一第一导电轨道,其具有一第一几何于该电路板上;一可挠材料;一第二导体轨道,其具有一第二几何于该可挠材料,及与该第一导电轨道形成电磁(EM)耦合器;其中该第一及第二几何选择用来减少调合至该第一及第二导电轨道相对位置中偏差的EM敏感度。16.如申请专利范围第15项的装置,进一步包含连接至该第一导电轨道的系统模组,使得该系统模组能透过该EM耦合器送出信号至第二导电轨道。17.如申请专利范围第15项的装置,进一步包含连接至该第二导电轨道的记忆体装置,使得该记忆体装置能透过该EM调合器送出信号至第一导电轨道。18.如申请专利范围第15项的装置,其中该相对位置的偏差,沿平行该第一及第二传送结构的轴为0及15密尔间。19.如申请专利范围第15项的装置,其中该相对位置的偏差,沿垂直该第一及第二传送结构的轴为0及2密尔间。20.一种用以提供电磁耦合器之装置,包含:传送装置,用于传送一信号;形成装置,用于与该传送装置形成一电磁(EM)调合器;该EM耦合器具有一耦合系数,其系坚固以防该传送装置及该形成装置位置的偏差。21.如申请专利范围第20项的装置,其中该位置的偏差沿平行该传送装置及形成装置的轴为0及10密尔间。22.如申请专利范围第20项的装置,其中该位置的偏差沿垂直该形成装置及传送装置的轴为0及2密尔间。图式简单说明:图1表示一先前技艺的宽侧耦合器。图2表示一先前技艺边缘耦合器。图3,4及5表示包括二导体耦合器部件的实施例。图6A,6B及7表示多重交叉耦合器部件的实施例。图8及9表示电容耦合系数的变化。图10A及10B表示耦合器的实施例。图11A及11B表示一具有多重耦合器的数位滙流排通信系统。图12A,12B,12C及12D表示一耦合器截面积的实施例。图13表示一调合器截面积的另一实施例。图14表示图13所示截面积的正交图。图15表示在一主机板及一电线电路上之一耦合器的实施例。 |
