| 发明名称 | 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法是硅单晶生长过程中,在多晶硅融化时,用高纯氮气作为保护气,高纯氮气的压力为5～200Torr,流量为1～200l/min,氮气通入时间1～1000分钟,在多晶硅融化后,转化为氩气保护,直至硅晶体生长完成。本发明方法克服了普通氮保护气生长大直径硅单晶的氮元素浓度过高,浓度不易控制的困难,同时能有效降低大直径硅单晶的生产成本,特别适用于8～12英寸以上微氮硅单晶的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN1422989A | 申请公布日期 | 2003.06.11 |
| 申请号 | CN02151126.8 | 申请日期 | 2002.12.02 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 李立本;杨德仁;阙端麟 |
| 分类号 | C30B27/00 | 主分类号 | C30B27/00 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法，其特征是硅单晶生长过程中，在多晶硅融化时，用高纯氮气作为保护气，高纯氮气的压力为5～200Torr，流量为1～200l/min，氮气通入时间1～1000分钟，在多晶硅融化后，转化为氩气保护，直至硅晶体生长完成。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 | ||