用单附加掩模注入操作制造双阈值电压N沟道和P沟道MOSFET的方法

摘要

形成MOS集成电路的方法,该MOS集成电路具有至少两种各有不同阈值电压的NFET和至少两种各有不同阈值电压的PFET,该方法包括在衬底中形成至少四个有源区,每个区具有不同的掺杂分布。常规双阈值电压COMS工艺被修改为仅用一个附加的掩模注入操作产生四个晶体管阈值电压。该附加注入提高一种MOSFET的阈值电压同时降低另一种MOSFET的阈值电压。

主权项

1.一种微电子器件，包含：一个具有多个有源区的衬底；一个具有第一和第二掺杂剂在其中的第一有源区；一个具有第一、第二和第三掺杂剂在其中的第二有源区；一个具有第四和第五掺杂剂在其中的第三有源区；以及一个具有第三、第四和第五掺杂剂在其中的第四有源区；其中第一，第二和第三掺杂剂是p-型的，而第四和第五掺杂剂是n-型的。