发明名称 高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵及其制备方法
摘要 高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵及其制备方法。涉及高温超导材料中的约瑟夫森结器件领域。解决了制备高温超导薄膜本征约瑟夫森结的技术问题。在小角度台阶衬底上外延生长高温超导薄膜,将超导薄膜在跨越台阶处刻蚀成微桥。本发明是利用高温超导材料本身固有的层间约瑟夫森效应提出了约瑟夫森结的一种新结构及制备方法。该结构可单独作为超导器件使用,也可组合成SQUID器件以及其它超导集成电路。
申请公布号 CN1111314C 申请公布日期 2003.06.11
申请号 CN96113183.7 申请日期 1996.10.31
申请人 南开大学 发明人 阎少林
分类号 H01L39/22;H01L39/24 主分类号 H01L39/22
代理机构 天津市学苑有限责任专利代理事务所 代理人 孙克忱
主权项 1.一种高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵的制备方法,衬底材料选用可外延生长层状高温超导薄膜LaAlO3或SrTiO3或MgO或ZrO2的单晶材料[1],衬底表面[2]与晶体001面平行,在衬底表面[2]上制出台阶,在台阶衬底上外延生长高温超导Bi-Sr-Ca-Cu-O或Tl-Ba-Ca-Cu-O或Hg-Ba-Ca-Cu-O或Y-Ba-Cu-O薄膜[4],超导薄膜[4]厚度小于台阶高度,将超导薄膜[4]跨越台阶刻蚀成微桥[5]形状,其特征是台阶侧面[3]与衬底表面[2]之间夹角大于0度小于45度。
地址 300071天津市卫津路94号