| 发明名称 | 埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法,是于基底上形成一介电层,再于基底上形成一字符线,然后于基底中形成一埋入式源/漏极区,接着于裸露的字符线表面形成一阻障层。随后于基底上形成一金属层,再定义金属层,使留下的金属层覆盖字符线两侧的埋入式源/漏极区并跨过字符线。 | ||
| 申请公布号 | CN1423321A | 申请公布日期 | 2003.06.11 |
| 申请号 | CN01139869.8 | 申请日期 | 2001.12.03 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄水钦 |
| 分类号 | H01L21/8239;H01L27/105 | 主分类号 | H01L21/8239 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种具有埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法，其特征是，该方法包括：提供一基底；于该基底上形成一介电层；于该基底上形成一字符线；于该基底中形成一埋入式源/漏极区；于裸露的该字符线表面形成一阻障层；于该基底上形成一金属层；以及定义该金属层，使留下的该金属层覆盖该字符线两侧的该埋入式源/漏极区，并跨过该字符线。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||