异质结双极型晶体管

摘要

一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻r_b从而得到具有高电流增益、高f_T、高f_max和低噪声系数N_F的异质结双极型晶体管。

主权项

1.一种异质结双极型晶体管，主要由电极、发射区、基区、及集电区构成，其特征在于：从纵向截面上看，所述基区包括有一个或多个有较窄禁带宽度的非掺杂薄层，这些非掺杂薄层的两侧是有较宽禁带宽度的势垒层，非掺杂薄层能够形成对于基区多数载流子的势阱，即非掺杂量子阱，而非掺杂薄层两侧的势垒层则是掺杂的，每个非掺杂薄层与其两侧的势垒层共同构成一量子阱单元，一个或多个这样的量子阱单元重复排列，从而在基区内形成一种调制掺杂量子阱结构。