| 发明名称 | 氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法是:先将多晶硅在高纯氩气保护下,升温融化,待多晶硅融化后,将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气,高纯氮气的压力为5～200Torr,流量在1～200l/min,在氮气通入1～600分钟后,再转换为高纯氩气保护,直至硅晶体生长完成。采用本发明方法生产微氮硅单晶成本低,质量好,可以控制大直径硅单晶中氮的浓度,能够实现大规模生产,特别适用于8～12英寸以上微氮硅单晶的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN1422991A | 申请公布日期 | 2003.06.11 |
| 申请号 | CN02151128.4 | 申请日期 | 2002.12.02 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杨德仁;李立本;田达晰;马向阳;沈益军;阙端麟 |
| 分类号 | C30B27/00 | 主分类号 | C30B27/00 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法，其特征是该方法先将多晶硅在高纯氩气保护下，升温融化，待多晶硅融化后，将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气，高纯氮气的压力为5～200Torr，流量在1～200l/min，在氮气通入1～600分钟后，再转换为高纯氩气保护，直至硅晶体生长完成。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 | ||