| 发明名称 | 部分区域或完全玻璃化的SiO<SUB>2</SUB>成形体、其制造方法及用途 | ||
| 摘要 | 一种制造部分区域或完全玻璃化的SiO<SUB>2</SUB>成形体的方法,在该方法中,一种无定形的、多孔性SiO<SUB>2</SUB>预成形体是借助于辐射的非接触式加热而烧结或玻璃化,且在此步骤过程中可避免SiO<SUB>2</SUB>成形体受到外来原子的污染,其中所用辐射是激光束。 | ||
| 申请公布号 | CN1422819A | 申请公布日期 | 2003.06.11 |
| 申请号 | CN02154307.0 | 申请日期 | 2002.11.28 |
| 申请人 | 瓦克化学有限公司 | 发明人 | 弗里茨·施韦特费格;霍尔格·西拉特;延斯·京斯特;斯文·恩格勒;于尔根·海因里希 |
| 分类号 | C03B20/00;C03B19/00 | 主分类号 | C03B20/00 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1.一种制造部分区域或完全玻璃化的SiO2成形体的方法，在该方法中，无定形的、多孔性SiO2预成形体是借助于辐射的非接触式加热而烧结或玻璃化，且在此步骤过程中可避免SiO2成形体受到外来原子的污染，其中所用辐射线是激光束。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||