| 发明名称 | 非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法,该方法包括如下步骤:步骤1:在硅衬底上制作出有源区和场氧区,场氧区用于器件之间的隔离,有源区为载流子的工作区和引线区；步骤2:在硅衬底上干法刻蚀出一个槽,形成该结构的台面；步骤3:做出栅氧化层,用于存储器件的隧穿氧化层；步骤4:做一氮化硅侧墙,用于在沟道中间形成高阈值区；步骤5:在栅氧上淀积第一层多晶硅,用于作存储器件的浮栅；步骤6:生长一层氧化硅/氮化硅/氧化硅复合介质膜,用于作多晶硅间介质；步骤7:生长第二层多晶硅,用作存储器件的控制栅；步骤8:源漏区的N型扩散,形成源漏接触区和存储器件的擦除区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1423320A | 申请公布日期 | 2003.06.11 |
| 申请号 | CN01139666.0 | 申请日期 | 2001.12.04 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 欧文;钱鹤;李明 |
| 分类号 | H01L21/8239;H01L21/8246;H01L27/112 | 主分类号 | H01L21/8239 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种非平面结构的非挥发性存储器单元的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在硅衬底上制作出有源区和场氧区，场氧区用于器件之间的隔离，有源区为载流子的工作区和引线区；步骤2：在硅衬底上干法刻蚀出一个槽，形成该结构的台面；步骤3：做出栅氧化层，用于存储器件的隧穿氧化层；步骤4：做一氮化硅侧墙，用于在沟道中间形成高阈值区；步骤5：在栅氧上淀积第一层多晶硅，用于作存储器件的浮栅；步骤6：生长一层氧化硅/氮化硅/氧化硅复合介质膜，用于作多晶硅间介质；步骤7：生长第二层多晶硅，用作存储器件的控制栅；步骤8：源漏区的N型扩散，形成源漏接触区和存储器件的擦除区域。 | ||
| 地址 | 100029北京市德外祁家豁子 | ||