Método para formar camadas de óxido de espessura múltipla de alta qualidade através da redução dos defeitos induzidos por escoriação

摘要

"MéTODO PARA FORMAR CAMADAS DE óXIDO DE ESPESSURA MúLTIPLA DE ALTA QUALIDADE ATRAVéS DA REDUçãO DOS DEFEITOS INDUZIDOS POR ESCORIAçãO". Divulga-se um método para formar camadas de óxido de alta qualidade possuindo diferentes espessuras através da eliminação dos defeitos induzidos por escoriações. Um substrato semicondutor é sujeitado à gravação iónica reativa. O substrato semicondutor inclui uma pastilha 4, uma camada de óxido 2 sobre a pastilha, e uma máscara fotoresistente desenvolvida 8 sobre a camada de óxido. A camada de óxido 2 é então gravada, e a máscara fotoresistente remanescente 8 é decapada antes que uma outra camada de óxido 14 seja desenvolvida sobre o substrato.