| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf einen Isolationsgraben (1) für eine integrierte Schaltung, der in einem Substrat (2) gebildet und mit einem Isolationsmedium (7) mit einer geringen relativen Dielektrizitätskonstante gefüllt ist. Oberseitig ist der Isolationsgraben (1) mit einer Abdeckung (12) derart verschlossen, dass das Isolationsmedium (7) vollständig eingekapselt ist. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf einen flaschenförmigen Isolationsgraben sowie ein Herstellungsverfahren für einen Isolationsgraben.</p> |
