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<p>Zum Ausbilden einer Struktur in einem Halbleitersubstrat (1) wird eine als Kohlenstoffschicht (3) ausgebildete Pufferschicht zwischen einer Photoresistschicht (4) und einer anti-reflektierenden Schicht (2), die auf dem Substrat (1) ausgebildet werden, erzeugt. Die Struktur wird zunächst in der Photoresistschicht (4) durch einen Lithographieschritt erzeugt und in einem nachfolgenden Schritt auf die darunter angeordneten Schichten (1, 2, 3) übertragen.</p> |
