| 发明名称 | 低介电常数材料薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种低介电常数材料薄膜的制造方法，此方法是在一基底上形成一旋涂式低介电常数材料薄膜后，对旋涂式低介电常数材料薄膜进行一烘烤工艺。然后利用一能量流均匀照射旋涂式低介电常数材料薄膜，使旋涂式低介电常数材料薄膜结构能够固化并链接完全，有效降低低介电常数材料薄膜的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1421904A | 申请公布日期 | 2003.06.04 |
| 申请号 | CN02141155.7 | 申请日期 | 2002.07.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张鼎张;刘柏村 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/3105 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种低介电常数材料薄膜的制造方法，其特征是，该方法包括：提供一基底；于该基底上形成一旋涂式低介电常数材料薄膜；对该旋涂式低介电常数材料薄膜进行一烘烤工艺；以及以一能量流均匀照射该旋涂式低介电常数材料薄膜，使该旋涂式低介电常数材料薄膜固化。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 | ||