具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明提供了一种制造具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的方法。扩散源层形成在其上形成有栅极构图的半导体衬底上。在不同方向上多次将相同类型的或不同类型的杂质注入到扩散源层内。结果，不发生位错，且扩散源层的杂质浓度可得以非均匀控制，使得对半导体衬底晶体结构的损伤不发生。此外，非均匀包含在扩散源层内的杂质通过固相扩散法扩散到半导体衬底内，以通过自对准法形成具有轻度掺杂漏极区和高度掺杂源极/漏极区的浅源极/漏极结区。

主权项

1.一种制造MOS晶体管的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极构图；在半导体衬底的整个表面上形成扩散源层；在不同的方向上，多次将相同类型的或不同类型的杂质注入到扩散源层内，使得扩散源层在栅极构图和半导体衬底上表面上的部分的杂质浓度因遮蔽效应而高于扩散源层在栅极构图侧壁上的部分的杂质浓度；以及通过固相扩散法扩散包含在扩散源层内的杂质到半导体衬底内，以通过自对准方法形成浅源极/漏极结区，该结区具有在栅极构图的侧壁下方的轻度掺杂漏极区和高度掺杂的源极/漏极区。