发明名称 |
反熔丝的制造方法 |
摘要 |
一种反熔丝的制造方法,在基底上形成一内金属介电层,并在其中形成一漏斗形介层窗洞。然后,在基底上形成一层第一导体层,并填满漏斗形介层窗洞,之后进行例如化学机械研磨制作工艺将漏斗形介层窗洞外的第一导体层去除,以形成导体插塞。之后再进行氧化物化学机械研磨,圆滑化导体插塞表面。接着,在导体插塞上形成一介电层与一顶盖层,再在基底上形成一层具有介层窗洞的绝缘层,且介层窗洞位于顶盖层上。最后,在基底上形成一层第二导体层,并填满介层窗洞。 |
申请公布号 |
CN1421912A |
申请公布日期 |
2003.06.04 |
申请号 |
CN02140155.1 |
申请日期 |
2002.07.04 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
谢聪敏;郭瑞俊 |
分类号 |
H01L21/70;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L21/70 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陈小雯;肖鹂 |
主权项 |
1.一种反熔丝的制造方法,包括:提供一基底;在该基底上形成一内金属介电层;在该内金属介电层中形成一漏斗形介层窗洞;在该基底上形成一第一导体层,并填满该漏斗形介层窗洞;去除该漏斗形介层窗洞以外的该第一导体层,以形成一导体插塞;进行一氧化物化学机械研磨制作工艺,以圆滑化该导体插塞,并使该导体插塞顶端凸出该内金属介电层;在该导体插塞顶部覆盖一介电层;在该介电层上形成一顶盖层;在该基底上形成一具有一介层窗洞的绝缘层,且该介层窗洞暴露出该顶盖层;以及在该基底上形成一第二导体层,以填满该介层窗洞。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |