GalnN半导电层及其制备方法；包括该层的发光二极管和包括该发光二极管的发光器件

摘要

本发明涉及单一的半导体GaInN薄层，它含有任选的低百分比的砷、磷或锑。该层发射至少两种有特定颜色的可见光，它们相加能得到白光。本发明还涉及制备该层和发光二极管(LED)的方法，特别是一种包括有源区：诸如薄层的发射白光的LED和含有这种二极管的发光器件。

主权项

1.单一的、薄的、半导电的GaInN层，它可能含有小百分比的砷、磷或锑，该层发射至少两种具有确定颜色的可见光。