堆叠形动态随机存取存储器的电容器的制造方法

摘要

一种堆叠形动态随机存取存储器存储单元的电容器的制造方法。首先，形成一接触窗开口于堆叠介电层，此堆叠介电层由一层间介电层、第一氮化物层、高温氧化层及第二氮化物层所组成，接着，在接触窗开口上形成一即时掺杂的非晶硅，并去除第二氮化物层，在此非晶硅上形成一半球型晶粒多晶硅层，之后，去除高温氧化层，并在半球型晶粒多晶硅层及非晶硅上，形成一电容器介电层，最后在电容器介电层上形成一顶部导电层。

主权项

1.一种动态随机存取存储器存储单元的电容器的制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成一层间介电层；在该层间介电层上，形成一第一氮化物层；在该第一氮化物层上，形成一高温氧化层；在该高温氧化层上，形成一第二氮化物层；在该第一氮化物层、该第二氮化物层、该高温氧化层以及该层间介电层上形成一接触窗开口；在该接触窗开口及该第二氮化物层上，形成一即时掺杂的非晶硅层；图案化及蚀刻该非晶硅层，在该接触窗开口上留下一非晶硅；去除该第二氮化物层；在该非晶硅上，形成一半球型晶粒多晶硅层；去除该高温氧化层；在该半球型晶粒多晶硅层及该非晶硅上，形成一介电层；以及在该介电层上形成一顶部导电层。