| 发明名称 | 阻挡层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及形成阻挡层的方法，包括淀积氮化钛层，随后使该层表面氮化。在某些实施例中在氮化步骤之前使氮化钛层暴露于氧。 | ||
| 申请公布号 | CN1110844C | 申请公布日期 | 2003.06.04 |
| 申请号 | CN97126177.6 | 申请日期 | 1997.11.21 |
| 申请人 | 特利康设备有限公司 | 发明人 | C·D·多布森;M·G·M·哈里斯;K·E·布查恩 |
| 分类号 | H01L21/318 | 主分类号 | H01L21/318 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
| 主权项 | 1.一种在半导体表面形成阻挡层的方法，包括淀积氮化钛层，使该层暴露于氧形成氧化层，至少使氧化层表面氮化。 | ||
| 地址 | 英国格温特 | ||