半导体制造装置

摘要

提供一种采用激光结晶技术的半导体制造装置，用于提高衬底的处理效率和提高半导体膜的迁移率。该多室系统的半导体制造装置包括用于形成半导体膜的膜形成设备以及激光照射设备。激光照射设备包括用于相对于照射物体控制激光照射位置的第一装置、用于发射激光的第二装置(激光振荡器)、用于处理或会聚激光的第三装置(光学系统)、以及按照被第三装置处理的激光的束点可以覆盖根据掩模结构(图形信息)的数据确定的位置的方式用于控制第二装置的振荡和用于控制第一装置的第四装置。

主权项

1、一中装置，包括：用于在衬底上形成半导体膜的第一室；用于在半导体膜上照射激光的第二室；运输室，其借助阀门与第一和第二室分开并在不将衬底暴露于大气的情况下可操作地输送衬底；至少一个激光振荡器；用于会聚来自激光振荡器的激光的光学系统；和计算机，其中第二室包括用于控制衬底的位置的位置控制装置，其中计算机在表示衬底位置的信息基础上工作以确定标记的位置，在表示形成在衬底上的一组器件的图形的信息基础上识别形成器件组的有源层的区域，参照标记确定包括有源层形成区的半导体膜的特定区域并进行激光照射，以及使激光振荡器和位置控制装置同步，由此在第二室内对特定区域进行激光照射。