发明名称 半导体器件
摘要 本发明给出了一种半导体器件,包含半导体衬底和形成于该半导体衬底上的晶体管;其中构成晶体管外部电极端的控制电极端和传送输出信号的第一电极端置于半导体衬底的主表面上,其中控制电极端至少有一个,并且大量第一电极端排列在一侧,而大量第一电极端排列在另一侧,控制电极端插于其间,其中包括控制电极端和位于控制电极端某侧的大量第一电极端的部分构成第一晶体管部分,而其中包括控制电极端和位于另一侧的大量第一电极端的部分构成第二晶体管部分。该半导体器件是四边形的。
申请公布号 CN1421927A 申请公布日期 2003.06.04
申请号 CN02152669.9 申请日期 2002.11.29
申请人 株式会社日立制作所 发明人 赤岭均;铃木将司;山根正雄;安逹徹朗
分类号 H01L23/52;H01L21/48;H01L21/28 主分类号 H01L23/52
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.半导体器件,包含:半导体衬底;以及形成在所述半导体衬底上的晶体管,其中构成所述晶体管外部电极端的控制电极端和传送输出信号的第一电极端置于所述半导体衬底的主表面上,其中给出一个或多个控制电极端,并且多个第一电极端在一侧排列,而多个第一电极端在另一侧排列,控制电极端插入其间,其中包括一个或多个控制电极端以及位于控制电极端某侧的多个第一电极端的部分构成第一晶体管部分,以及其中包括一个或多个控制电极端以及位于控制电极端另一侧的多个第一电极端的部分构成第二晶体管部分。
地址 日本东京