具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法

摘要

一种具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在第一层间绝缘层中形成埋入型导电层，上述导电层具有比上述第一层间绝缘层表面高的表面。另外，用具有平坦表面的绝缘膜覆盖上述第一层间绝缘层和上述导电层，在该绝缘膜中形成蚀刻选择比比上述绝缘膜高的的第二层间绝缘层。在上述半导体器件的制造方法中，在半导体衬底层上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成沟，在第一层间绝缘层上形成导电层，用上述导电层掩埋沟，研磨导电层形成后的衬底表面，形成露出第一层间绝缘层和导电层的平坦面。还蚀刻去除研磨引起的上述第一层间绝缘层表面的损伤层，在蚀刻后的衬底表面上使用涂布法，形成绝缘膜。之后，在上述绝缘膜上形成蚀刻选择比比绝缘膜高的第二层间绝缘层。

主权项

1.一种半导体器件，具有：第一层间绝缘层；形成于上述第一层间绝缘层中的沟；掩埋上述沟、具有比上述第一层间绝缘层表面高的表面的导电层；覆盖上述第一层间绝缘层和上述导电层、具有平坦表面的绝缘膜；和形成于上述绝缘膜上、具有比上述绝缘膜高的蚀刻选择比的第二层间绝缘层。