| 发明名称 | 抗蚀剂图形增厚材料、抗蚀剂图形及其形成方法以及半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 抗蚀剂图形增厚材料含有树脂、交联剂和水溶性芳香化合物。抗蚀剂图形包括在下层抗蚀剂图形上的上层，下层抗蚀剂图形与上层的腐蚀率(/s)的比(下层抗蚀剂图形/上层)为1.1或更高，或包括在下层抗蚀剂图形上的含有芳香化合物的上层。形成抗蚀剂图形的方法包括在形成下层抗蚀剂图形之后在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料。半导体器件包括由抗蚀剂图形形成的图形。半导体器件的制造方法包括在底层上形成下层抗蚀剂图形之后，在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料以增厚图形，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。 | ||
| 申请公布号 | CN1421743A | 申请公布日期 | 2003.06.04 |
| 申请号 | CN02124689.0 | 申请日期 | 2002.03.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 野崎耕司;小澤美和;並木崇久;今纯一;矢野映 |
| 分类号 | G03F7/038;G03F7/26;H01L21/027 | 主分类号 | G03F7/038 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种抗蚀剂图形增厚材料，包括：树脂；交联剂；以及水溶性芳香化合物。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||