| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体单元,包括一种半导体基质,具有包含相反导向边界形成于该记忆体单元的闸极区域之边界结构,该边界结构提供邻近浮动闸极电场的增强,该浮动闸极与该闸极区域中的该基质绝缘,和一个控制闸极位置靠近该闸极区域内之该浮动闸极但与其绝缘。2.如申请专利范围第1项的记忆体单元,进一步包括源极和汲极扩散区域,其中该边界结构延伸至该源极和汲极区域其中之一。3.如申请专利范围第2项的记忆体单元,其中该相反导向边界被导向该半导体基质和朝向该基质的该边界导向延伸到该源极和汲极区域其中之一。4.如申请专利范围第1项的记忆体单元,进一步包括源极和汲极扩散区域,其中该边界结构延伸至该源极和汲极区域。5.如申请专利范围第4项的记忆体单元,其中一个该相反导向边界被导向该半导体基质和朝向该基质的该边界导向延伸到该源极和汲极区域。6.如申请专利范围第1项的记忆体单元,其中反向于该边界结构之该浮动闸极一边实质上为平面。7.如申请专利范围第1项的记忆体单元,其中邻近该边界结构之该浮动闸极结构的一边包括数个偏斜角度的平面结合在该相反导向边界。8.如申请专利范围第7项的记忆体单元,其中反向于该边界结构之该浮动闸极的一边实质上为平面。9.一种形成非挥发性记忆体单元于单晶体半导体基质的方法,该记忆体单元具有一个浮动闸极和一个边界结构用以增强靠近该浮动闸极的电场,该方法包括以下步骤:将一个孔径遮罩应用到该单晶体半导体基质,该遮罩包括一个遮罩元件将一个孔径区域与另一个孔径区域分隔开,和依方向优先地蚀刻该单晶体半导体基质以形成远离该孔径区域片该浮动闸极的一个边界导向和朝向该浮动闸极的一个边界导向,切去该遮罩元件。10.如申请专利范围第9项的方法,其中应用遮罩元件的该步骤包括以下步骤:将侧壁应用到在对应于该记忆体单元的闸极区域上之物质层中孔径的相反边界,放置牺牲物质于该侧壁之间,和选择性地移除该侧壁。11.如申请专利范围第9项的方法,其中应用遮罩元件的该步骤进一步包括以下步骤:形成一个物质层大约从第一记忆体单元的中央线延伸到邻近该第一记忆体单元的大约第二记忆体单元之中央线,形成一座侧壁于该物质层,和移除该物质层。12.如申请专利范围第9项的方法,应用遮罩元件的该步骤进一步包括以下步骤:光致蚀刻地定义一物质区域,于该闸极区域的端点间延伸。13.如申请专利范围第12项的方法,其中该物质区域偏移角度于该端点间以形成同轴边界。14.如申请专利范围第12项的方法,其中该物质区域偏移角度于该端点以形成在该记忆体单元大约中央线上的角落。15.如申请专利范围第9项的方法,包括进一步的步骤:形成包括该边界结构一端之源极和汲极区域。16.如申请专利范围第9项的方法,包括进一步的步骤:形成源极和汲极区域,每个该源极和汲极区域包括该边界结构的一端。17.一种包含非挥发性记忆体单元的积体电路装置,包含:一种具有包括相反导向边界形成于该记忆体单元中闸极区域的边界结构之半导体基质,该边界结构提供邻近浮动闸极电场的增强,该浮动闸极与该闸极区域中的该基质绝缘,和一个位置邻近该闸极区域内之该浮动闸极但与其绝缘之控制闸极。图式简单说明:图1为显示佛勒-诺谭隧穿电流对电场变化的图形。图2A、2B、2C为根据本发明记忆体单元结构的俯视图和横切面侧视。图3A、3B、3C、3D、3E和3F为图示图2A-2C记忆体单元制造的俯视和横切面侧视。图4A、4B、4C、4D、4E和4F为图示图2A-2C的两种记忆体单元之同时制造的俯视和横切面侧视。图5和图6为可用于本发明制造中另种遮罩样板(maskpattern)的俯视。图7为根据本发明一对记忆体单元的较适布局(preferred layout)。 |
