| 主权项 |
1.一种SRAM装置的制造方法,其中该SRAM装置包括共接于一节点的至少一传导电晶体、一驱动电晶体,以及一负载电晶体,该方法包括下列步骤:形成一井区于一基底,该井区具有第一导电型;形成一第一杂质区于该井区中,该第一杂质区具有与该第一导电型相反的一第二导电型;以及设置一第二杂质区于该第一杂质区的下方部分,该第二杂质区具有该第一导电型,且该第二杂质区的杂质浓度高于该井区,该节点至少具有该第一杂质区以及该第二杂质区。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中:该第一导电型系P型,而该第二导电型系N型。3.如申请专利范围第2项所述的方法,其中:该第二杂质区系藉由在该第一杂质区植入离子而形成。4.如申请专利范围第3项所述的方法,其中:该离子系包含硼离子。5.如申请专利范围第1项所述的方法,更包括下列步骤:形成一接触孔该第二杂质区上。6.如申请专利范围第1项所述的方法,其中:一节点电容系耦接于该节点。7.如申请专利范围第6项所述的方法,其中:该节点电容具有一电容量;该传导电晶体具有一基底偏压特性;以及该第二杂质区系用以不恶化该基底偏压特性地增加该电容量。8.如申请专利范围第1项所述的方法,其中:该装置具有一软误差电阻;以及该第二杂质区系用以加大该软误差电阻。图式简单说明:第1图系一线路图,其中显示作为相关SRAM装置之主要部分的高电阻负载型记忆单元之基本构造;第2图系一剖面图,其中显示第1图中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法;第3图系一剖面图,其中显示第1图中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法;第4图系一剖面图,其中显示第1图中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法;第5图系一剖面图,其中显示第1图中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法;第6图系一剖面图,其中显示第1图中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法;第7图系一剖面图,其中显示第1图中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法;第8图系一剖面图,其中显示此发明实施例中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法;第9图系一剖面图,其中显示第8图中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法;以及第10图系一剖面图,其中显示第8图中节点四周之该高电阻负载型记忆单元的制造方法。 |
