| 主权项 |
1.一种形成一绝缘层的方法,其包含:以一绝缘膜材料涂布一基板来形成一涂布膜,该绝缘膜材料包含至少第一及第二聚合物,其平均分子量彼此并不相同;及在以一电子束照射该涂布膜时来加热该涂布膜。2.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中该涂布膜在50℃到150℃下加热1到10分钟,接着进一步加热该涂布膜在150到250℃下进行1到10分钟,其系在以该电子束照射该涂布膜时来加热该涂布膜之前。3.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中该涂布膜系在以该电子束照射该涂布膜时来加热该涂布膜之前,配置在一降低的压力110-2到500托(Torr)的环境。4.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中该电子束的照射量系落在100及2,000C/cm2的范围内。5.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中当以该电子束照射该涂布膜时所执行的加热系在一降低的压力之下来进行,其范围落在1及500 Torr之间。6.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中当以该电子束照射该涂布膜时所执行的加热系在一氩气(Ar)环境下来进行。7.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中当以该电子束照射该涂布膜时所执行的加热系在250℃到450℃下进行1到60分钟。8.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中该第一聚合物具有一平均分子量为至少该第二聚合物之100倍。9.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中该绝缘膜具有一甲基团做为一主要架构的矽氧烷键结。10.如申请专利范围第1项之形成绝缘层之方法,其中该绝缘膜系由一有机树脂所形成。11.一种制造一半导体装置的方法,其包含:以一绝缘膜材料涂布具有一元件形成在其中的一半导体基板来形成一涂布膜,该绝缘膜材料包含至少第一及第二聚合物,其平均分子量彼此并不相同;及以一电子束照射该涂布膜时来加热该涂布膜来形成具有一低介电常数的一绝缘膜。12.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中该涂布膜在50℃到150℃下加热1到10分钟,接着进一步加热该涂布膜在150℃到250℃下进行1到10分钟,其系在以该电子束照射该涂布膜时来加热该涂布膜之前。13.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中该涂布膜系在以该电子束照射该涂布膜时来加热该涂布膜之前,配置在一降低的压力110-2到500 Torr的环境中。14.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中该电子束的照射量系落在100及2,000C/cm2的范围内。15.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中当以该电子束照射该涂布膜时所执行的加热系在一降低的压力之下来进行,其范围落在1及500 Torr之间。16.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中当以该电子束照射该涂布膜时所执行的加热系在一氩气(Ar)环境下来进行。17.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中当以该电子束照射该涂布膜时所执行的加热系在250℃到450℃下进行1到60分钟。18.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中该第一聚合物具有一平均分子量为至少该第二聚合物之100倍。19.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中该绝缘膜具有一甲基团做为一主要架构的矽氧烷键结之一介电常数。20.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,其中该具有一低介电常数之绝缘膜系由一有机树脂所形成。21.如申请专利范围第11项之制造一半导体装置的方法,进一步包含:在具有一低介电常数的该绝缘膜中形成一导线沟槽及一孔洞之至少一个;及埋入一铜(Cu)层在该导线沟槽及该孔洞之至少一个,并具有一阻障金属层介于其间。图式简单说明:图1所示为根据本发明一具体实施例,该形成一绝缘膜方法中使用的一热处理装置的架构之架构图;图2所示为根据本发明一具体实施例中,由该方法形成的一绝缘膜中所形成的一导线沟槽之横截面图;图3所示为图2之导线沟槽的侧壁部份之放大的横截面图;及图4所示为不使用电子束照射之下所形成的一绝缘膜中包含的该导线沟槽之侧壁部份之放大的横截面图。 |
