| 主权项 |
1.一种有机绝缘膜之蚀刻方法,其特征为:将含有氢原子和氮原子的分子气体予以电浆化,测定电浆中之氢原子及氰基分子之发光的光谱强度比,将该测定値处理成规定値以下。2.如申请专利范围第1项所记载之有机绝缘膜的蚀刻方法,其中使上述电浆中之波长略486nm之氢原子(H)发光光谱和波长略388nm之氰基分子(CN)发光光谱的强度比CN/H成为1以下。3.一种有机绝缘膜之蚀刻方法,其特征为:将氢气体和氮气体或氨气体予以电浆化,控制并处理上述氢气体的流量,使电浆中之氢原子及氰基分子的发光光谱强度比可成为规定値以下。4.如申请专利范围第3项所记载之有机绝缘膜之蚀刻方法,其中,上述处理系将处理压力控制成一定而执行之。5.一种有机绝缘膜之蚀刻方法,其特征为:供给合有氢原子和氮原子之分子气体于配置有形成有绝缘膜的被蚀刻样本之蚀刻处理室内,将上述蚀刻处理室内的压力设定成10Pa未满,生成波长略486nm之氢原子(H)发光光谱和波长略388nm之氢基分子(CN)发光光谱之强度比CN/H成为1以下的电浆,使用上述电浆处理上述被蚀刻试样。6.如申请专利范围第5项所记载之有机绝缘膜之蚀刻方法,其中,上述电浆的生成系使用氢气体及氮气体,上述氢气体对上述氮气体的混合比为10以上。7.如申请专利范围第6项所记载之有机绝缘膜之蚀刻方法,其中,上述氢气体和上述氮气体的总流量为200cc/分以上。8.如申请专利范围第5项所记载之有机绝缘膜之蚀刻方法,其中,含有上述氢原子之分子气体为氢气体,含有上述氮原子之分子气体为氨气体,上述氢气体对上述氨气体的混合比为10以上。9.如申请专利范围第8项所记载之有机绝缘膜之蚀刻方法,其中,上述氢气体和上述氨气体的总流量为200cc/分以上。图式简单说明:第1图系表示用以实施本发明之蚀刻方法的蚀刻装置之一例的纵剖面图。第2图系表示设置第1图之蚀刻装置的电浆蚀刻处理装置之全体平面图。第3图系表示使用第2图之装置的蚀刻处理之流程图。第4图系配合第3图所示之蚀刻流程,表示晶圆之蚀刻剖面形状的纵剖面图。第5图系表示有机绝缘膜之配线沟加工中,无副沟槽之蚀刻制程中之电浆发光强度的示意图。第6图系表示有机绝缘膜之配线沟加工中,产生副沟槽之蚀刻制程中之电浆发光强度的示意图。第7图系表示以第5图之电浆发光强度状态蚀刻加工的蚀刻剖面形状的剖面图。第8图系表示以第6图之电浆发光强度状态蚀刻加工的蚀刻剖面形状的剖面图。第9图系表示有机绝缘膜之配线加工所涉及之电浆中的氰基分子和氢原子的发光强度比CN/H,和副沟槽的关系图。第10图系表示抑制有机绝缘膜之配线沟加工所涉及之副沟槽的流程图。 |
