| 主权项 |
1.一种利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,适于在放置于一腔体内的一基板上沉积一薄膜,其步骤包括:a.施行一电浆化学气相沉积,以于该基板上形成该薄膜;b.将该基板从该腔体内取出;c.进行一清洁制程;d.进行一预沉积制程;e.施行一放电电浆处理;f.放入下一批基板;以及g.重复步骤a到f。2.如申请专利范围第1项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该清洁制程包括输入一清洁气体至该腔体中。3.如申请专利范围第2项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该清洁气体包括含氟基的气体。4.如申请专利范围第3项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该清洁气体包括三氟化氮。5.如申请专利范围第1项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该薄膜包括绝缘材质层。6.如申请专利范围第1项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该薄膜包括一高电阻的薄膜。7.如申请专利范围第6项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该高电阻的薄膜包括本徵非晶矽。8.如申请专利范围第1项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体包括氢气。9.如申请专利范围第1项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体包括氮气。10.如申请专利范围第1项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体包括氩气。11.如申请专利范围第1项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体包括氦气。12.如申请专利范围第1项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体系选自于包括氢气、氮气、氩气与氦气的混合气体之族群。13.一种利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,包括:于一腔体中施行一电浆化学气相沉积,以于一第一批基板上形成一薄膜;将该第一批基板从该腔体内取出;对该腔体进行一清洁制程;对该腔体进行一预沉积制程;对该腔体施行一放电电浆处理;将一第二批基板放入该腔体;以及施行该电浆化学气相沉积,以于该第二批基板上形成该薄膜。14.如申请专利范围第13项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该清洁制程包括输入一清洁气体至该腔体中。15.如申请专利范围第14项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该清洁气体包括含氟基的气体。16.如申请专利范围第15项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该清洁气体包括三氟化氮。17.如申请专利范围第13项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该薄膜包括绝缘材质层。18.如申请专利范围第13项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该薄膜包括一高电阻的薄膜。19.如申请专利范围第18项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该高电阻的薄膜包括本徵非晶矽。20.如申请专利范围第13项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体包括氢气。21.如申请专利范围第13项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体包括氮气。22.如申请专利范围第13项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体包括氩气。23.如申请专利范围第13项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体包括氦气。24.如申请专利范围第13项所述之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法,其中该放电电浆处理所使用的气体系选自于包括氢气、氮气、氩气与氦气的混合气体之族群。图式简单说明:第1图是依照本发明一较佳实施例之利用电浆化学气相沉积法沉积薄膜的方法的步骤图。 |
