| 主权项 |
1.一种支援可读写非挥发记忆体之转换电路,藉以将一串列资料(Serial Data)直接写入一可读写非挥发记忆体(Non-volatile Memory),包含:一资料缓冲器(Data Buffer),藉以暂存该串列资料;一命令产生器(Command Generator),系整合该串列资料,藉以产生一命令信号;以及一记忆体介面驱动器(Memory Interface Driver),因应该命令信号,对该可读写非挥发记忆体进行一写入的动作。2.如申请专利范围第1项所述之支援可读写非挥发记忆体之转换电路,其中该命令产生器所产生之该命令信号系包含一指令运算元,该串列资料及该可读写非挥发记忆体之一位址,藉以自对该可读写非挥发记忆体之该位址起,写入该串列资料。3.如申请专利范围第1项所述之支援可读写非挥发记忆体之转换电路,其中该可读写非挥发记忆体系为一串列可读写非挥发记忆体。4.如申请专利范围第3项所述之支援可读写非挥发记忆体之转换电路,其中该串列可读写非挥发记忆体系为一EEPROM(电性可抹除可程式唯读记忆体)。5.一种支援可读写非挥发记忆体之转换电路,藉以自一可读写非挥发记忆体按写入顺序直接读出一串列资料,包含:一命令产生器,系因应一读出信号,产生一命令信号;以及一记忆体介面驱动器,因应该命令信号,自该可读写非挥发记忆体读出该串列资料。6.如申请专利范围第5项所述之支援可读写非挥发记忆体之转换电路,其中该命令产生器所产生之该命令信号系包含一指令运算元,该读出信号及该可读写非挥发记忆体之一位址,藉以自对该可读写非挥发记忆体之该位址起,读出该串列资料。7.如申请专利范围第5项所述之支援可读写非挥发记忆体之转换电路,其中该可读写非挥发记忆体系为一串列可读写非挥发记忆体。8.如申请专利范围第7项所述之支援可读写非挥发记忆体之转换电路,其中该串列可读写非挥发记忆体系为一EEPROM(电性可抹除可程式唯读记忆体)。9.一种具转换电路之可读写非挥发记忆体模组,包含一可读写非挥发记忆体及一转换电路,藉以直接存取一串列资料,其特征在于:该转换电路因应一写入动作,直接将该串列资料写入该可读写非挥发记忆体,以及因应一读出动作,直接将该串列资料自该可读写非挥发记忆体读出。10.如申请专利范围第9项所述之具转换电路之可读写非挥发记忆体模组,其中该串列资料之存取系为先写入先读出(First In First Out)者。11.如申请专利范围第9项所述之具转换电路之可读写非挥发记忆体模组,其中该写入动作及该读出动作系由一独立信号线,或由该串列资料之前几个码识别之。图式简单说明:图一:习用之串列式EEPROM IC。图二:本案较佳实施例之具转换电路之可读写非挥发记忆体模组。图三:本案较佳实施例之支援可读写非挥发记忆体之转换电路。 |
