| 主权项 |
1.一种电浆氮化之闸极介电层之制造方法,至少包括:提供一基材;在该基材上形成一含氮介电层;以及进行一电浆氮化步骤,系使该含氮介电层氮化以形成该闸极介电层。2.如申请专利范围第1项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,更包括在上述之电浆氮化步骤后,进行一第一回火步骤。3.如申请专利范围第3项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之第一回火步骤系利用一制程气体,该制程气体系选自于由氧气(O2)、氦气(He)、氮气(N2)、氧化氮(NO)、氧化亚氮(N2O)、与氨气(NH3)等所组成之一族群所构成。4.如申请专利范围第1项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮介电层系使该基材于一含氮气体之环境中,利用一热氧化法藉以在该基材上形成该含氮介电层。5.如申请专利范围第4项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮介电层系为氮氧化矽(Oxynitride)。6.如申请专利范围第4项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮气体系为氧化氮。7.如申请专利范围第4项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮气体系为氧化亚氮。8.如申请专利范围第4项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之热氧化法之一制程温度系大于900℃。9.如申请专利范围第2项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮介电层之形成步骤至少包括:在该基材上形成一闸极氧化层;以及进行使用一含氮气体之一第二回火步骤,系使该闸极氧化层中含有氮原子以形成该含氮介电层。10.如申请专利范围第9项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法。其中上述之闸极氧化层系为二氧化矽(SiO2)。11.如申请专利范围第9项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮介电层系为氮化氧化矽(Nitrided-Oxide)。12.如申请专利范围第9项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮气体系为氧化氮。13.如申请专利范围第9项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮气体系为氧化亚氮。14.一种电浆氮化之闸极介电层之制造方法,至少包括:提供一基材;进行一热氧化步骤,系使该基材位于一含氮气体之环境中,藉以形成一含氮介电层于该基材上;以及进行一电浆氮化步骤,系使该含氮介电层氮化以转换为该闸极介电层。15.如申请专利范围第14项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,更包括在上述之电浆氮化步骤后,进行一回火步骤。16.如申请专利范围第15项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之回火步骤系利用一制程气体,该制程气体选自于由氧气、氦气、氮气、氧化氮、氧化亚氮与氨气等所组成之一族群所构成。17.如申请专利范围第14项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮介电层系为氮氧化矽。18.如申请专利范围第14项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮气体系为氧化氮。l9.如申请专利范围第14项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮气体系为氧化亚氮。20.如申请专利范围第14项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之热氧化步骤之一制程温度系大于900℃。21.一种电浆氮化之闸极介电层之制造方法,至少包括:提供一基材;在该基材上形成一闸极氧化层进行一第一回火步骤,系使该闸极氧化层中含有氮原子以形成一含氮介电层,其中该第一回火步骤系使用一含氮气体;以及进行一电浆氮化步骤,系使该含氮介电层氮化以形成该闸极介电层。22.如申请专利范围第21项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,更包括在上述之电浆氮化步骤后,进行一第二回火步骤。23.如申请专利范围第22项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之第二回火步骤系利用一制程气体,该制程气体选自于由氧气、氦气、氮气、氧化氮、氧化亚氮与氨气等所组成之一族群所构成。24.如申请专利范围第21项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之闸极氧化层系为二氧化矽。25.如申请专利范围第21项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮介电层系为氮化氧化矽。26.如申请专利范围第21项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法。其中上述之含氮气体系为氧化氮。27.如申请专利范围第21项所述之电浆氮化之闸极介电层之制造方法,其中上述之含氮气体系为氧化亚氮。图式简单说明:第1图至第2图所绘示为习知电浆氮化之闸极介电层的制程示意图;第3图至第5图所绘示为依据本发明之一实施例之电浆氮化之闸极介电层的制程示意图;第6图至第7图所绘示为依据本发明之另一实施例之电浆氮化之闸极介电层的制程示意图;第8图所绘示为进行电浆氮化过程时,习知电浆氮化之闸极介电层的结构示意图;以及第9图与第10图所绘示为进行电浆氮化过程时,本发明电浆氮化之闸极介电层的放大结构示意图。 |
