| 主权项 |
1.一种射频晶片型平衡至非平衡转换器,包含有:一输入埠;一第一和一第二输出埠;一第一群,由至少一节耦合传输线组成,每节耦合传输线各有一相对应的耦合系数,且由一第一线部分和一第二线部分组成,每节耦合传输线的第一线部分串接在一中心节耦合传输线的第一线部分和一开端之间,每节耦合传输线的第二线部分串接在该第一输出埠和接地端之间;以及一第二群,由至少一节耦合传输线组成,每节耦合传输线各有一相对应的耦合系数,且由一第一线部分和一第二线部分组成,每节耦合传输线的第一线部分串接在一中心节耦合传输线的第一线部分和该输入埠之间,每节耦合传输线的第二线部分串接在该第二输出埠和接地端之间;其中,至少有两节耦合传输线的耦合系数是不相同的。2.如申请专利范围第1项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该耦合线之形状系选自螺旋状、曲折状、弦波状和锯齿状之其中一种形状。3.如申请专利范围第1项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该耦合传输线系一低耗损金属材质。4.如申请专利范围第1项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该转换器系利用一多层介电层结构来达成。5.如申请专利范围第4项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该多层介电层结构至少备有向上堆叠而成的七层介电层,该多层介电层结构包含有:一第一介电层,备有一主要表面且系一接地金属面;一第二介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有一第一耦合线的第二线部分、一第二耦合线的第二线部分和该第一输出埠;一第三介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有一第一耦合线的第一线部分、一第二耦合线的第一线部分和该输入埠;一第四介电层,备有一主要表面,该主要表面系一接地金属面,且其上形成有一穿孔;一第五介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有一第三耦合线的第一线部分和一第四耦合线的第一线部分;一第六介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有一第三耦合线的第二线部分、一第四耦合线的第二线部分和该第二输出埠;以及一第七介电层,备有一主要表面且系一接地金属面。6.如申请专利范围第5项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,在该第二介电层之第二耦合线的第二线部分是由主要表面的左下方,以较粗的线宽向右方延伸,并连接该第一耦合线的第二线部分之较细线宽向左方延伸至主要表面的该第一输出埠,在该第六介电层之第四耦合线的第二线部分是由主要表面的左下方,以较粗的线宽向右方延伸,并连接第三耦合线的第二线部分之较细线宽向左方延伸至主要表面的第二输出埠,在该第三介电层之第二耦合线的第一线部分的范围由主要表面的左下方,以较粗的线宽向右方延伸后,并连接第一耦合线的第一线部分之较细线宽,再向左上方延伸至主要表面的中心地带,在该第五介电层之第四耦合线的第一线部分的范围由主要表面的左下方,以较粗的线宽向右方延伸后,并连接该第三耦合线的第一线部分之较细线宽,再向左上方延伸至主要表面的中心地带。7.如申请专利范围第4项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该转换器系利用一穿孔方式来连接上层接地层至另一层介电层。8.如申请专利范围第7项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该多层介电层结构至少备有向上堆叠而成的十一层介电层,该多层介电层结构包含有:一第一介电层,备有一主要表面且系一接地金属面;一第二介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有该第一输出埠;一第三介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第一耦合线的第二线部分与第二耦合线的第二线部分;一第四介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第一耦合线的第一线部分、第二耦合线的第一线部分和该输入埠;一第五介电层,备有一主要表面,该主要表面为一金属片材质;一第六介电层,备有一主要表面,该主要表面系一接地金属面,且其上形或有一穿孔;一第七介电层,备有一主要表面,该主要表面为一金属片材质;一第八介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第三耦合线的第一线部分和第四耦合线的第一线部分;一第九介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第三耦合线的第二线部分与第四耦合线的第二线部分;一第十介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有该第二输出埠;以及一第十一介电层,备有一主要表面且系一接地金属面。9.一种射频晶片型平衡至非平衡转换器,包含有:一传输线,备有第一和第二端;一输入埠;一第一和一第二输出埠;一第一群,由至少一节耦合传输线组成,每节耦合传输线各有一相对应的耦合系数,且由一第一线部分和一第二线部分组成,每节耦合传输线的第一线部分串接在该传输线的第一端和一开端之间,每节耦合传输线的第二线部分串接在该第一输出埠和接地端之间;以及一第二群,由至少一节耦合传输线组成,每节耦合传输线各有一相对应的耦合系数,且由一第一线部分和一第二线部分组成,每节耦合传输线的第一线部分串接在该传输线的第二端和该输入埠之间,每节耦合传输线的第二线部分串接在该第二输出埠和接地端之间;其中,至少有两节耦合传输线的耦合系数是不相同的。10.如申请专利范围第9项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该传输线系一电感性传输线。11.如申请专利范围第9项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该传输线系一电容性传输线。12.如申请专利范围第9项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该耦合线之形状系选自螺旋状、曲折状、弦波状和锯齿状之其中一种形状。13.如申请专利范围第9项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该耦合传输线系一低耗损金属材质。14.如申请专利范围第9项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该传输线系一低耗损金属材质。15.如申请专利范围第9项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该转换器系利用一多层介电层结构来达成。16.如申请专利范围第15项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该多层介电层结构至少备有向上堆叠而成的七层介电层,该多层介电层结构包含有:一第一介电层,备有一主要表面且系一接地金属面;一第二介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有一第一耦合线的第二线部分、一第二耦合线的第二线部分和该第一输出埠;一第三介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有一第一耦合线的第一线部分、一第二耦合线的第一线部分、该输入埠和该传输线的第一端;一第四介电层,备有一主要表面,该主要表面系一接地金属面,且其上形成有一穿孔;一第五介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有一第三耦合线的第一线部分、一第四耦合线的第一线部分和该传输线的第二端;一第六介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有一第三耦合线的第二线部分、一第四耦合线的第二线部分和该第二输出埠;以及一第七介电层,备有一主要表面且系一接地金属面。17.如申请专利范围第16项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,在该第二介电层之第二耦合线的第二线部分是由主要表面的左下方,以较粗的线宽向右方延伸,并连接该第一耦合线的第二线部分之较细线宽向左方延伸至主要表面的该第一输出埠,在该第六介电层之第四耦合线的第二线部分是由主要表面的左下方,以较粗的线宽向右方延伸,并连接第三耦合线的第二线部分之较细线宽向左方延伸至主要表面的第二输出埠,在该第三介电层之第二耦合线的第一线部分的范围由主要表面的左下方,以较粗的线宽向右方延伸后,并连接第一耦合线的第一线部分之较细线宽,再向左上方延伸至主要表面的中心地带,再连接至该传输线的第一端,在该第五介电层之第四耦合线的第一线部分的范围由主要表面的左下方,以较粗的线宽向右方延伸后,并连接该第三耦合线的第一线部分之较细线宽,再向左上方延伸至主要表面的中心地带,再连接至该传输线的第二端。18.如申请专利范围第16项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该转换器系利用一穿孔方式来连接上层接地层至另一层介电层。19.如申请专利范围第7项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,其中,该多层介电层结构至少备有向上堆叠而成的十一层介电层,该多层介电层结构包含有:一第一介电层,备有一主要表面且系一接地金属面;一第二介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有该第一输出埠;一第三介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第一耦合线的第二线部分与第二耦合线的第二线部分;一第四介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第一耦合线的第一线部分、第二耦合线的第一线部分、该传输线的第一端和该输入埠;一第五介电层,备有一主要表面,该主要表面为一金属片材质;一第六介电层,备有一主要表面,该主要表面系一接地金属面,且其上形成有一穿孔;一第七介电层,备有一主要表面,该主要表面为一金属片材质;一第八介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第三耦合线的第一线部分、第四耦合线的第一线部分和该传输线的第二端;一第九介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第三耦合线的第二线部分与第四耦合线的第二线部分;一第十介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有该第二输出埠;以及一第十一介电层,备有一主要表面且系一接地金属面。20.如申请专利范围第1项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,该转换器备有一向上堆叠而成的多层介电层结构,包含有:一第一介电层,备有一主要表面且系一接地金属面;一第二介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第一耦合线的第二线部分、第二耦合线的第二线部分和该第一输出埠;一第三介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第一耦合线的第一线部分、第二耦合线的第一线部分和该输入埠;一第四介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第三耦合线的第一线部分和第四耦合线的第一线部分;一第五介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第三耦合线的第二线部分、第四耦合线的第二线部分和该第二输出埠;以及一第六介电层,备有一主要表面且系一接地金属面。21.如申请专利范围第9项所述之射频晶片型平衡至非平衡转换器,该转换器备有一向上堆叠而成的多层介电层结构,包含有:一第一介电层,备有一主要表面且系一接地金属面;一第二介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第一耦合线的第二线部分、第二耦合线的第二线部分和该第一输出埠;一第三介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第一耦合线的第一线部分、第二耦合线的第一线部分、该传输线的第一端和该输入埠;一第四介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第三耦合线的第一线部分、第四耦合线的第一线部分和该传输线的第二端;一第五介电层,备有一主要表面,该主要表面上形成有第三耦合线的第二线部分、第四耦合线的第二线部分和该第二输出埠;以及一第六介电层,备有一主要表面且系一接地金属面。图式简单说明:图1为一习知之马式平衡至非平衡转换器的示意图。图2为一习知之晶片型的转换器的示意图。图3为根据本发明之多层式射频晶片型平衡至非平衡转换器的等效电路的示意图。图4为根据本发明之多层式射频晶片型平衡至非平衡转换器的另一等效电路的示意图,其中,输出、输入端之阻抗値为复数。图5a-图5d为根据本发明之耦合线绕线的四种实施方式,分别为螺旋式、曲折式、弦波式和锯齿式。图6a为根据本发明之转换器的第一种较佳实施例,应用于平衡端之较低阻抗値,其中耦合传输线系以螺旋式绕线。图6b为根据图6a之转换器,再插入一节电感性传输线,应用于复杂之平衡端输出阻抗。图6c为根据图6a之转换器.再插入一节电容性传输线,应用于复杂之平衡端输出阻抗。图7a为根据本发明之转换器的第二种较佳实施例的转换器,应用于平衡端之较低阻抗値,其中平衡端以穿孔方式至另一介电层。图7b为根据图7a之转换器,再插入一节电感性传输线,应用于复杂之平衡端输出阻抗。图7c为根据图7a之转换器,再插入一节电容性传输线,应用于复杂之平衡端输出阻抗。图8为根据本发明之转换器的第三种较佳实施例,应用于平衡端之较高阻抗値。图9a为根据本发明之转换器的第四种较佳实施例,应用于平衡端之较低阻抗値,其中夹层金属与侧面电极相连接,并以侧面金属接地。图9b为根据图9a之转换器,其中夹层金属未与侧面电极相连接,系以穿孔方式接地。图10a为根据本发明之转换器的第五种较佳实施例,应用于平衡端之较高阻抗値,其中夹层金属与侧面电极相连接,并以侧面金属接地。图10b为根据本发明之转换器的第五种较佳实施例,应用于平衡端之较低高阻抗値,其中夹层金属未与侧面电极相连接,系以穿孔方式接地。图11为根据本发明之转换器的第六种较佳实施例,其中将上下两对称结构间的接地金属分隔层移除。图12a为根据本发明之输入耗损及返回损耗特性量测结果,其中本发明之平衡至非平衡式转换器含有接地金属分隔层。图12b为根据本发明之两平衡输出埠信号的振幅和相位的误差値的量测结果,其中本发明之平衡至非平衡式转换器含有接地金属分隔层。图13a为根据本发明之输入耗损及返回损耗特性量测结果,其中本发明之平衡至非平衡式转换器不含接地金属分隔层。图13b为根据本发明之两平衡输出埠信号的振幅和相位的误差値的量测结果,其中本发明之平衡至非平衡式转换器不含接地金属分隔层。 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