| 主权项 |
1.一种制造用于波长光之移相遮光罩之方法,该方法包含:一由透明材料制成基板,该基板具有第一厚度,该基板包含第一区、第二区及第三区,于基板上形成不透明层,使用第一次蚀刻去除第一区及第二区的不透明层,使用第二次蚀刻于第一区形成沟渠,该沟渠具有上宽度及下宽度,以及使用第三次蚀刻来让下宽度比上宽度更大,以及缩小第一区的基板至第二厚度,因此透射通过第一区的该波长光相对于透射通过第二区的该波长光之相位被移相180度。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一蚀刻包含各向异性乾蚀刻。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二蚀刻包含各向异性乾蚀刻。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第三蚀刻包含各向同性蚀刻。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第三蚀刻包含电浆蚀刻。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第三蚀刻包含四氟甲烷气体。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第三蚀刻紧接于第二蚀刻之后而无任何介于其间的延迟8.如申请专利范围第1项之方法,其中该第三蚀刻及第二蚀刻系同时进行。9.一种制造用于波长光之移相遮光罩之方法,该方法包含:一基板,该基板系由透明材料制成,该基板具有第一厚度,该基板包含第一区、第二区及第三区,形成不透明层于基板上,使用第一蚀刻去除第一区及第二区之不透明层,使用第二蚀刻而于第一区形成第一沟渠,该第二蚀刻系经由减薄基板至第二厚度,故透射通过第一区之该波长光相对于第一厚度之相位移相180度,第一沟渠具有上宽度及下宽度,以及使用第三蚀刻让第一沟渠的下宽度比上宽度更宽,第三蚀刻也于第二区形成第二沟渠。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该第一蚀刻包含各向异性乾蚀刻。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该第二蚀刻包含各向异性乾蚀刻。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该第三蚀刻包含各向同性蚀刻。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该第三蚀刻包含电浆蚀刻。14.如申请专利范围第9项之方法,其中该第三蚀刻包含四氟甲烷气体。15.一种用于波长光之移相遮光罩,包含:一基板,一位于基板的第一区,该第一区具有第一材料之第一厚度,该第一材料具有于该波长光之第一透射量,第一区具有第一逆行垂直侧壁轮廓边界,一位于该基板的第二区,该第二区具有第一材料之第二厚度,故第二厚度比第一厚度大第一差値,该第一差値系等于该波长之180度相移,以及一位于基板上的第三区,该第三区具有第一材料之第三厚度,故第三厚度系等于或大于第二厚度。16.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其中该第二区具有第二逆行垂直轮廓边界。17.如申请专利范围第16项之移相遮光罩,其中该第二逆行垂直轮廓系与第一逆行垂直轮廓不同。18.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其中该第二区系毗邻第一区。19.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其中该第二区与第一区系交错设置。20.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其中该第三区系位于第一区与第二区间。21.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其中该第二区系环绕第一区。22.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其中该第一区系环绕第二区。23.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其进一步具有第二材料铺设于第二区及第三区之第一材料上方,该第二材料具有于该波长光之第二透射量。24.如申请专利范围第23项之移相遮光罩,其进一步具有第三材料铺设于第三区之第二材料上方,该第三材料对该波长光为不透明。25.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其进一步具有第三材料铺设于第三区之第一材料上方,该第三材料对该波长光为不透明。26.如申请专利范围第15项之移相遮光罩,其进一步包含光近端效应校正(OPC)。图式简单说明:图1为先前技艺带有临界维度偏差之单一沟渠替代移相遮光罩之剖面图。图2显示先前技艺具有单边反向蚀刻之单一沟渠替代移相遮光罩之剖面图。图3显示先前技艺具有双边反向蚀刻之单一沟渠替代移相遮光罩之剖面图。图4为先前技艺双沟渠替代移相遮光罩之剖面图。图5为根据本发明之移相开口具有逆行垂直轮廓之替代移相遮光罩之说明图。图6为根据本发明与移相开口及非移相开口二者具有逆行垂直轮廓之替代移相遮光罩之说明图。图7-13为形成根据本发明之逆行垂直轮廓方法之说明图。 |
