| 主权项 |
1.一种XY位址型固体摄影装置之闪烁杂讯减低方法,其系在具备于一定之信号储存时间,将入射光作光电变换且予输出多数之画素作为影像资料的XY位址型固体摄影装置上,可减低依存于照明光之发光频率而生的闪烁杂讯者,其特征在于:于分配在1画面内之一定之平均辉度检测领域,以每一画面算出前述影像资料之平均辉度;算出前述画面间之前述平均辉度之差;及根据前述辉度差来变更前述信号储存时间。2.如申请专利范围第1项之XY位址型固体摄影装置的闪烁杂讯减低方法,其中:前述平均辉度检测领域,系以连接在所邻接之一定数的水平选择线之多数画素所构成者。3.如申请专利范围第2项之XY位址型固体摄影装置之闪烁杂讯减低方法,其中:前述一定数,系设定成对于因前述闪烁杂讯而生之辉度不均的周期之整数倍不会一致之数。4.如申请专利范围第3项之XY位址型固体摄影装置之闪烁杂讯减低方法,其中:前述平均辉度检测领域,系以前述水平选择线总数之3/10倍作为间隔,且于1画面内予以设定1至3处。5.一种XY位址型固体摄影装置之闪烁杂讯减低方法,其系在具备于一定之信号储存时间,将入射光作光电变换且予输出多数之画素作为影像资料的XY位址型固体摄影装置上,可减低依存于照明光之发光频率而生的闪烁杂讯者,其特征在于:在1画面内设置两个平均辉度检测领域,且持续在多数画面算出于前述两个平均辉度检测领域之前述影像资料的平均辉度;对于多数之前述平均辉度施予积和计算处理而算出积和计算値;及根据前述积和计算値来变更前述信号储存时间。6.如申请专利范围第5项之XY位址型固体摄影装置的闪烁杂讯减低方法,其中:前述两个平均辉度检测领域系分别分配有1条水平选择线。7.如申请专利范围第6项之XY位址型固体摄影装置的闪烁杂讯减低方法,其中:前述两个辉度检测领域之间隔,系令前述发光频率为A[Hz]、前述XY位址型固体摄影装置之画面频率为B[Hz],而前述水平选择线总数为V,并设定为,VX[1/2-(A/B之剩余)](A/B)。8.如申请专利范围第5项之XY位址型固体摄影装置之闪烁杂讯减低方法,其中:在前述积和计算处理中使用之积和系数的总和,系定为在sin项及cos项均分别成为0(零)。9.如申请专利范围第1至8项中任一项的XY位址型固体摄影装置之闪烁杂讯减低方法,包含有:事先设定对于第1发光频率之前述照明光,可减低闪烁杂讯之第1信号储存时间;及若前述辉度差或前述积和计算値超过一定之临限値之时,即变更为对于第2发光频率之照明光可减低闪烁杂讯之第2信号储存时间。图式简单说明:第1图系表示依本发明之第1实施态样的CMOS影像感测器1之44画素份的电路例。第2图系表示依本发明之第1实施态样的CMOS影像感测器之闪烁杂讯减低方法的步骤。第3图系表示依本发明之第1实施态样的CMOS影像感测器之闪烁杂讯减低方法。第4图系表示依本发明之第2实施态样的CMOS影像感测器之闪烁杂讯减低方法。第5图系表示依本发明之第2实施态样的CMOS影像感测器之闪烁杂讯减低方法所使用之积和系数。第6(a)与(b)图系表示日光灯之发光频率与习知之CMOS影像感测器的信号储存时间之关系。第7(a)与(b)图系表示日光灯之发光频率与习知之CMOS影像感测器的信号储存时间之关系。第8(a)至(d)图系表示于习知之CMOS影像感测器上之闪烁杂讯的发生状态。第9(a)与(b)图系表示于习知之CCD固体摄影装置上之闪烁杂讯减低方法。 |
