| 主权项 |
1.一种形成绝缘膜之方法,其中涂上/一层具有Si-H键结之涂层型绝缘膜之先驱膜,该先驱膜在含有至少一种惰气与氧气之气体中加以锻烧而使其转变成陶瓷膜用做绝缘膜,然后使陶瓷膜在低于锻烧压力之压力下冷却。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中经降低之压力与锻烧压力之比率(降低压力与锻烧压力比)大约为10-3至10-7。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中经降低之压力为110-1Pa至110+3Pa。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中之锻烧压力为0.0710+6Pa至0.1310+6Pa。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中之锻烧是以350℃至450℃之温度进行1至60分钟。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中之冷却是进行至温度到达200℃至350℃时为止。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中之绝缘膜为一以旋转法涂在玻璃上之膜。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中涂层型绝缘膜之先驱膜须在含有至少一种惰气及氧气之气体中加以热处理而使其在锻烧前转变成一初期陶瓷膜,以转变成陶瓷膜。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中之热处理是以250℃至400℃之温度进行1至60分钟。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中之绝缘膜之先驱膜为一氢silsesquioxane树脂膜。图式简单说明:图1(a)至1(e)所示为本发明形成绝缘膜步骤之断面图;图2为锻烧后减压与所产生微小突出物数量间关系之曲线图;及图3(a)至3(d)为先前技术制造半导体装置步骤之断面图。 |
