| 主权项 |
1.一种并有一被动元件之半导体装置的制造方法,该方法包含:一重分配板形成步骤,其在基板上形成一并有该被动元件之重分配板;一半导体元件安置步骤,其安置至少一个半导体元件在重分配板的相反侧表面上,该重分配板对于基板形成在该基板之上;一基板分离步骤,其使基板与重分配板分离,并露出该重分配板之其他表面;及一重分配板安置步骤,其经由露出该重分配板之其他表面的电极衬垫,将该重分配板安置于一封装板上。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该半导体元件安置步骤包括在该重分配板与半导体元件之间以一底部充填材料加以充填的步骤。3.一种并有一被动元件之半导体装置的制造方法,该方法包含:一重分配板形成步骤,其在基板上形成一并有该被动元件之重分配板;一重分配板安置步骤,其经由露出该重分配板之一表面的电极衬垫,将形成在该基板上之该重分配板安置于一封装板上;一基板分离步骤,其使基板与重分配板分离,并露出该重分配板之其他表面;及一半导体安置步骤,其经由露出该重分配板之其他表面的电极衬垫,将至少一个半导体元件安置在该重分配板上。4.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中该重分配板安置步骤包括以底部充填材料充填重分配板与封装板之间的一步骤。5.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该基板系由一矽晶圆所制造,复数个重分配板系整体地形成在该矽晶圆上,且该等重分配板在基板移除步骤以后系加以单独化。6.一种并有一被动元件之半导体装置的制造方法,该方法包含:一重分配板形成步骤,其在基板上形成一并有该被动元件之重分配板;一基板分离步骤,其使该基板与重分配板分离;一半导体安置步骤,其经由形成在该重分配板之一表面上的电极衬垫,将至少一个半导体元件安置于该重分配板上;一重分配板安置步骤,其经由形成在该重分配板之其他表面上的电极衬垫,将重分配板安置在一封装板上。7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中该重分配板形成步骤包括一步骤,其在重分配板之该等电极衬垫上形成圆柱金属构件,其对于基板形成于该重分配板之其他侧面上、以及以绝缘树脂充填该等圆柱金属构件之间的一步骤。8.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中:该基板系由矽酮所制造;及该基板分离步骤包括藉着一起使用蚀刻与研磨,以移除该矽酮的一步骤。9.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中:该基板系由一蓝宝石板所构成,其在形成该重分配板之一表面上包括一有机薄膜;及该基板分离步骤包括以一雷射光束经过蓝宝石板照射到该有机薄膜,并蒸发该有机薄膜。10.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中:该基板系由一铜或铜合金所构成;及该基板分离步骤包括将该基板浸泡于一蚀刻剂中,以便仅溶解该基板。11.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中:该基板包括一水溶性剥离层,其形成在形成该重分配板之一表面上;及该基板分离步骤包括将该基板浸泡于水中,以便使该剥离层溶解在水中的一步骤。12.如申请专利范围第11项之半导体装置的制造方法,其中该水溶性剥离层系由溴化钾所构成。13.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中:该基板系由一水溶性板所构成;及该基板分离步骤包括将该基板浸泡于水中,以便使该剥离层溶解在水中的一步骤。14.如申请专利范围第13项之半导体装置的制造方法,其中该水溶性板系由溴化钾所构成。15.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中该圆柱金属构件形成步骤包括一步骤,其藉着铜镀层将铜沉积于一圆柱构造中的该等电极衬垫上。16.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中该圆柱金属构件形成步骤包括一步骤,其藉着一电线结合方法使金线与电极衬垫相结合。17.一种并有一被动元件之重分配板,其包含:圆柱金属构件,其形成在该等电极衬垫上,该等电极衬垫系形成在重分配板之正表面或背表面上,并以该重分配板之厚度方向延伸一预定的长度;及一绝缘树脂,其由充填于该等圆柱金属构件之间的绝缘树脂所构成。18.如申请专利范围第17项之重分配板,其中各圆柱金属构件系由一沉积于一圆柱构造中的铜镀层所构成。19.如申请专利范围第17项之重分配板,其中各圆柱金属构件系由一金线所构成,并藉由一电线结合方法结合到电极衬垫。20.一种并有一被动元件之重分配板的制造方法,该方法包含:在一陶瓷板上形成一铜喷溅薄膜的步骤;一重分配板形成步骤,其在该铜喷溅薄膜上形成并有该被动元件之重分配板;一基板分离步骤,其使陶瓷板剥落,并与铜喷溅薄膜分离;及一藉着蚀刻移除该铜喷溅薄膜,并露出该重分配板之电极的步骤。图式简单说明:第1图系为根据本发明之一第一实施例,一半导体装置之横剖面图;第2A图与2B图系为横剖面图,用以说明一重分配板之构造与制造程序;第3A、3B与3C图系为横剖面图,用以说明第1图中所示之该半导体装置的制造程序;第4图系为第1图中所示之该半导体装置的制造程序之流程图;第5图系为根据本发明之一第二实施例,一半导体装置之横剖面图;第6A、6B与6C图系为横剖面图,用以说明第5图中所示之该半导体装置的制造程序;第7图系为第5图中所示之该半导体装置的制造程序之流程图;第8A、8B与8C与8D图系为横剖面图,用以说明根据本发明之一第三实施例,一半导体装置之制造方法;第9图系为根据本发明之一第四实施例,一半导体装置之横剖面图;第10A、10B、10C与10D图系为横剖面图,用已说明第9图中所示之该重分配板的制造程序;第11图系为藉由第9图中之断线围绕的部份之放大图;第12图系为根据本发明之一第五实施例,一半导体装置之横剖面图;第13图系为根据本发明之一第六实施例,一半导体装置之横剖面图;第14A与14B图系为横剖面图,用以说明第13图中所示之该重分配板的制造程序;及第15图系为根据本发明之一第七实施例,一半导体装置之横剖面图。 |
