半导体装置及其制造方法

摘要

本发明在提高平坦化热处理性以达到无铅化。其包含：形薄片1g，其系支撑半导体晶片2，且与半导体晶片2接合之区域面积小于半导体晶片2之背面2b；配线4，其系与半导体晶片2之焊垫2a连接；数条内部引线1b，其系配置于半导体晶片2之周围，且在配线接合部1j上形成有银电镀层1a；铸模部3，其系以树脂封装半导体晶片2；及数条外部引线1c，其系自铸模部3露出，且在被安装面1l上形成有无铅金属层1m；藉由形成铸模部3之平面尺寸在28mm×28 mm以下，且1.4mm以下，可提高平坦化热处理性以达到无铅化。

主权项

1.一种半导体装置,其特征为包含:薄片,其系支撑半导体晶片,其外形尺寸小于与前述半导体晶片之主面相反侧之面;配线,其系与前述半导体晶片之表面电极连接;数条内部引线,其系延伸于前述半导体晶片之周围,前述配线接合之配线接合部上形成有银电镀层;铸模部,其系以树脂封装前述半导体晶片;及数条外部引线,其系与前述内部引线连接,自前述铸模部突出,在被安装面上形成有无铅金属层;且形成有前述铸模部之平面尺寸在28mm28mm以下之LQFP或TQFP。2.一种半导体装置,其特征为包含:薄片,其系支撑半导体晶片,其外形尺寸小于与前述半导体晶片之主面相反侧之面;配线,其系与前述半导体晶片之表面电极连接;数条内部引线,其系延伸于前述半导体晶片之周围,前述配线接合之配线接合部上形成有银电镀层;铸模部,其系以树脂封装前述半导体晶片;及数条外部引线,其系与前述内部引线连接,自前述铸模部突出,在被安装面上形成有无铅金属层;且形成有前述铸模部之平面尺寸在28mm28mm以下,且厚度在1.4 mm以下之QFP。3.一种半导体装置,其特征为包含:十字形薄片,其系支撑半导体晶片,其外形尺寸小于与前述半导体晶片之主面相反侧之面;配线,其系与前述半导体晶片之表面电极连接;数条内部引线,其系延伸于前述半导体晶片之周围,前述配线接合之配线接合部上形成有银电镀层;铸模部,其系以树脂封装前述半导体晶片;及数条外部引线,其系与前述内部引线连接,自前述铸模部突出,在被安装面上形成有无铅金属层;且形成有前述铸模部之平面尺寸在28mm28mm以下之LQFP或TQFP。4.一种半导体装置,其特征为包含:十字形薄片,其系支撑半导体晶片,其外形尺寸小于与前述半导体晶片之主面相反侧之面;配线,其系与前述半导体晶片之表面电极连接;数条内部引线,其系延伸于前述半导体晶片之周围,前述配线接合之配线接合部上形成有银电镀层;铸模部,其系以树脂封装前述半导体晶片;及数条外部引线,其系与前述内部引线连接,自前述铸模部突出,在被安装面上形成有无铅金属层;且形成有前述铸模部之平面尺寸在28mm28mm以下,且厚度在1.4 mm以下之QFP。5.一种半导体装置,其特征为包含:薄片,其系支撑半导体晶片,其外形尺寸小于与前述半导体晶片之主面相反侧之面;配线,其系与前述半导体晶片之表面电极连接;数条内部引线,其系延伸于前述半导体晶片之周围,前述配线接合之配线接合部上形成有银电镀层;铸模部,其系以树脂封装前述半导体晶片;及数条外部引线,其系与前述内部引线连接,自前述铸模部突出,在被安装面上形成有无铅金属层;且形成有前述铸模部之平面尺寸在20mm20mm以下,且厚度在3mm以下之QFP,或形成有前述铸模部之平面尺寸在20mm20mm以下之LQFP或TQFP。6.一种半导体装置,其特征为包含:十字形薄片,其系支撑半导体晶片,其外形尺寸小于与前述半导体晶片之主面相反侧之面;配线,其系与前述半导体晶片之表面电极连接;数条内部引线,其系延伸于前述半导体晶片之周围,前述配线接合之配线接合部上形成有银电镀层;铸模部,其系以树脂封装前述半导体晶片;及数条外部引线,其系与前述内部引线连接,自前述铸模部突出,在被安装面上形成有无铅金属层;且形成有前述铸模部之平面尺寸在20mm20mm以下,且厚度在3mm以下之QFP,或形成有前述铸模部之平面尺寸在20mm20mm以下之LQFP或TQFP。7.一种半导体装置,其特征为包含:薄片,其系支撑半导体晶片,其外形尺寸小于与前述半导体晶片之主面相反侧之面;配线,其系与前述半导体晶片之表面电极连接;数个内部引线部,其系配置于前述半导体晶片之周围,前述配线接合之配线接合部上形成有银电镀层;铸模部,其系以树脂封装前述半导体晶片;及数个外部引线部,其系配置成露出于前述铸模部之安装侧之面的周缘部,在被安装面上形成有无铅金属层之QFN。8.一种半导体装置,其特征为包含:十字形薄片,其系支撑半导体晶片,其外形尺寸小于与前述半导体晶片之主面相反侧之面;配线,其系与前述半导体晶片之表面电极连接;数个内部引线部,其系配置于前述半导体晶片之周围,前述配线接合之配线接合部上形成有银电镀层;铸模部,其系以树脂封装前述半导体晶片;及数个外部引线部,其系配置成露出于前述铸模部之安装侧之面的周缘部,在被安装面上形成有无铅金属层之QFN。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述无铅金属层为熔点高于锡-铅共晶软焊之软焊电镀层。10.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中设有双面接合胶带,作为固定前述半导体晶片于前述薄片上之晶片接合材料。11.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中设有接合胶带与堆叠其上之树脂糊胶,作为固定前述半导体晶片于前述薄片上之晶片接合材料。12.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数条内部引线,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数条外部引线,其系与各条前述内部引线连接,并且在被安装面上形成有无铅金属层;搭载步骤,其系在前述薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以被安装面上形成有前述无铅金属层之前述数条外部引线突出之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离自前述铸模部突出之前述数条外部引线;且形成前述铸模部之平面尺寸在28mm28mm以下,以组装LQFP或TQFP。13.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:十字形薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数条内部引线,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数条外部引线,其系与各条前述内部引线连接,并且在被安装面上形成有无铅金属层;搭载步骤,其系在前述十字形薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以在被安装面上形成有前述无铅金属层之前述数条外部引线突出之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离自前述铸模部突出之前述数条外部引线;且形成前述铸模部之平面尺寸在28mm28mm以下,以组装LQFP或TQFP。14.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数个内部引线部,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数个外部引线部,其系在连接于前述内部引线部之被安装面上形成有无铅金属层;搭载步骤,其系在前述薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线部之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以前述数个外部引线部之前述无铅金属层露出于周缘部之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离前述数个外部引线部;以组装QFN。15.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数条内部引线,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数条外部引线,其系连接于各条前述内部引线;搭载步骤,其系在前述薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以前述数条外部引线突出之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;形成步骤,其系在自前述铸模部突出之前述数条外部引线之被安装面上形成无铅金属层;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离前述数条外部引线;且形成前述铸模部之平面尺寸在28mm28mm以下,以组装LQFP或TQFP。16.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数条内部引线,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数条外部引线,其系连接于各条前述内部引线;搭载步骤,其系在前述薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以前述数条外部引线突出之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;形成步骤,其系在自前述铸模部突出之前述数条外部引线之被安装面上形成无铅金属层;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离前述数条外部引线;且形成前述铸模部之平面尺寸在20mm20mm以下,且厚度在3mm以下,以组装QFP,或形成前述铸模部之平面尺寸在20mm20mm以下,以组装LQFP或TOFP。17.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数个内部引线部,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数个外部引线部,其系连接于前述内部引线部;搭载步骤,其系在前述薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线部之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以前述数个外部引线部露出于安装侧之面之周缘部之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;形成步骤,其系在露出于前述铸模部之前述数个外部引线部之被安装面上形成无铅金属层;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离前述数个外部引线部;以组装QFN。18.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:十字形薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数条内部引线,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数条外部引线,其系连接于各条前述内部引线;搭载步骤,其系在前述十字形薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以前述数条外部引线突出之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;形成步骤,其系在自前述铸模部突出之前述数条外部引线之被安装面上形成无铅金属层;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离前述数条外部引线;且形成前述铸模部之平面尺寸在28mm28mm以下,以组装LQFP或TQFP。19.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:十字形薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数条内部引线,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数条外部引线,其系连接于各条前述内部引线;搭载步骤,其系在前述十字形薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以前述数条外部引线突出之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;形成步骤,其系在自前述铸模部突出之前述数条外部引线之被安装面上形成无铅金属层;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离前述数条外部引线;且形成前述铸模部之平面尺寸在20mm20mm以下,且厚度在3mm以下,以组装QFP,或形成前述铸模部之平面尺寸在20mm20mm以下,以组装LQFP或TQFP。20.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含:准备步骤,其系准备引导框架,该引导框架包含:十字形薄片,其外形尺寸小于与半导体晶片之主面相反侧之面;数个内部引线部,其系在配线接合部上形成有银电镀层;及数个外部引线部,其系连接于前述内部引线部;搭载步骤,其系在前述十字形薄片上经由晶片接合材料搭载前述半导体晶片;连接步骤,其系藉由配线连接前述半导体晶片之表面电极、及对应其之前述内部引线部之前述配线接合部之前述银电镀层;形成步骤,其系形成铸模部,该铸模部系以前述数个外部引线部露出于安装侧之面之周缘部之方式将前述半导体晶片予以树脂铸模;形成步骤,其系在露出于前述铸模部之前述数个外部引线部之被安装面上形成无铅金属层;及分离步骤,其系自前述引导框架之框体部分离前述数个外部引线部;以组装QFN。图式简单说明:图1系显示本发明一种实施形态之半导体装置之QFP构造的平面图。图2系显示图1所示之QFP构造的剖面图。图3系显示使用于图1所示之QFP组装上之一种引导框架构造的部分平面图。图4系显示图3所示之引导框架之晶片搭载部之十字形薄片构造的部分放大平面图。图5系显示一种在图3所示之引导框架上形成银电镀层与外装电镀层构造的部分平面图。图6系显示一种在图4所示之十字形薄片上黏贴双面接合胶带时之构造的部分放大平面图。图7系显示黏贴图6所示之双面接合胶带类似例之双面接合胶带时之构造的部分放大平面图。图8系显示黏贴图6所示之双面接合胶带类似例之双面接合胶带时之构造的部分放大平面图。图9系显示图1所示之QFP组装之晶片接合后之构造的部分平面图。图10系显示沿图9所示之A-A线之剖面构造的部分放大剖面图。图11系显示使用图10所示之晶片接合状态类似例之双面接合胶带之晶片接合状态之构造的部分放大剖面图。图12系显示使用图10所示之晶片接合状态类似例之树脂糊胶与单面接合胶带之晶片接合状态之构造的部分放大剖面图。图13系显示图1所示之QFP组装之配线接合后之构造的部分平面图。图14系显示对图13所示之引导框架使用小形半导体晶片组装之配线接合后之构造的部分平面图。图15系显示一种图1所示之QFP组装之树脂铸模时之构造的部分剖面图。图16系显示一种图1所示之QFP组装之树脂铸模后之构造的部分平面图。图17系显示一种图1所示之QFP组装之切断成形后之构造的侧面图。图18系显示一种将QFP之外部引线之外装电镀进行树脂铸模后之构造的部分放大剖面图。图19系显示本发明实施形态之各半导体装置与树脂厚度之关系的关系图。图20系显示本发明实施形态之半导体装置之技术构想的比较图。图21系显示对本发明实施形态之半导体装置之铸模部大小与厚度实施配线龟裂检查之结果的检查结果图。图22系显示一种图1所示之QFP组装上使用之多连引导框架构造的部分平面图。图23系显示一种图1所示之QFP组装之晶片接合时之构造的部分剖面图。图24系显示一种图1所示之QFP组装之配线接合时之构造的部分剖面图。图25系显示一种图1所示之QFP组装之切断成形时之构造的部分剖面图。图26系显示图3所示之引导框架之类似例之引导框架之薄片构造的部分平面图。图27系显示图3所示之引导框架之类似例之引导框架之薄片构造的部分平面图。图28系显示图3所示之引导框架之类似例之引导框架之薄片构造的部分平面图。图29系显示图3所示之引导框架之类似例之引导框架之薄片构造的部分平面图。图30系显示使用图26所示之类似例之引导框架所组装之QFP构造的平面图。图31系显示图30所示之QFP构造的剖面图。图32(a),(b)系显示本发明其他实施形态之半导体装置之QFN的构造图,(a)为剖面图,(b)为底面图。