在半导体器件中形成隔离沟槽的方法

摘要

一种在半导体器件内形成沟槽隔离的方法，通过优化退火温度由此除去腐蚀半导体衬底的步骤期间引起的衬底缺陷并释放了应力，增加了沟槽隔离特性，由此提高了器件的成品率和可靠性。

主权项

1.一种在半导体器件内形成沟槽隔离的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成沟槽腐蚀掩模层；构图所述沟槽腐蚀掩模层并在要形成沟槽的位置露出所述半导体衬底；腐蚀所述半导体衬底的露出部分由此形成所述沟槽；在所述沟槽内形成薄氧化层；用绝缘层填充所述沟槽；以及在不低于1150℃的温度进行退火，以便除去在腐蚀所述半导体衬底的步骤期间引起的衬底缺陷。